wersja mobilna
Online: 606 Niedziela, 2018.06.24

Biznes

I konferencja "Kryptologia a biznes. Bezpieczeństwo stosowane" już w lutym

czwartek, 12 grudnia 2013 10:13

W Parku Przemysłowo-Technologicznym Uniwersytetu Zielonogórskiego odbędzie się I Konferencja Naukowo-Przemysłowa "Kryptologia a biznes. Bezpieczeństwo stosowane. Transakcje i monety internetowe". Spotkanie ma na celu wymianę doświadczeń między przedstawicielami nauki i przemysłu. Zaprezentowane będą naukowe osiągnięcia i sposoby ich przemysłowego wykorzystania. Konferencję zaplanowano na 13-14 lutego 2014 r.

Konferencyjne spotkania mają dać dobre podstawy do wzajemnego transferu wiedzy kryptologicznej między biznesem a nauką i jej pełnego wykorzystywania w nowych projektach. Uczestnictwo w konferencji jest płatne 100 zł od osoby. Z opłaty zwolnieni są studenci, pracownicy naukowi oraz prelegenci. Wszystkim biorącym udział organizatorzy zapewniają komplet materiałów konferencyjnych.

Ważne daty:

  • referaty można było zgłaszać do 22.12.2013 r.
  • akceptacja referatów - do 15.01.2014 r.
  • nadsyłanie wersji do druku - do 30.01.2014 r.
  • termin konferencji - 13-14.02.2014 r.

źródło: Sidus Sp. z o.o. - współorganizator

 

World News 24h

niedziela, 24 czerwca 2018 19:52

TT Electronics has introduced SMD power inductors for use in high power density applications where size is critical. The low-profile devices are suitable for use in DC-DC converters using high switching frequencies up to 3MHz as well as EMI and low pass DC filters. Applications in the transportation field include powertrain, engine control, transmission control, LED driver, ABS braking systems, EPS, radar systems, and camera control systems. In the industrial sector they are suirable for use in automation systems as well as DC-DC converters. The HA66 series is a low profile, low loss, ferrite-based inductor designed with a wide range of inductances and package sizes. The series comprises a range of 38 inductors with inductance ratings from 2.5 to 220µH, DC resistances from 0.018 to 0.820Ω and Irms values from 1.22 to 11.2A.

więcej na: www.electronicsweekly.com