wersja mobilna
Online: 694 Piątek, 2017.11.24

Biznes

Rynek półprzewodników wzrósł w 2013 r. o 5%

środa, 28 maja 2014 07:48

Sprzedaż półprzewodników na świecie w 2013 r. sięgnęła 315 mld dolarów, o 5% więcej niż w 2012 r., poinformowała badająca rynek firma Gartner. Łączne obroty 25 największych dostawców zwiększyły się w ubiegłym roku o 6,9%, natomiast obroty firm spoza pierwszej dwudziestkipiątki były wyższe w ujęciu rocznym jedynie o 0,9%. Na dobry wynik największych dostawców wpływ miały rynki pamięci - odnotowany na nich w 2013 roku łączny wzrost sprzedaży wyniósł 23,5%. W opinii firmy Gartner to właśnie rynki pamięci, a szczególnie DRAM, wpłynęły na 5-procentowy globalny wzrost sprzedaży.

Najwyższe wzrosty obrotów wśród dziesięciu największych dostawców przypadły w udziale dostawcom pamięci - Micron zwiększył sprzedaż o 72% i SK Hynix o 41% - oraz firmie Qualcomm - jej obroty poprawiły się o 31%. Qualcomm swój świetny wynik zawdzięcza wiodącej pozycji na rynku procesorów aplikacyjnych do smartfonów oraz procesorów baseband LTE. Dostawy modemów Qualcomma do urządzeń mobilnych wzrosły w 2013 r. o 21%.

Jednak to SK Hynix jest firmą z najwyższym wzrostem wynikającym wyłącznie z własnej działalności. Samsung, będący od 12 lat na drugiej pozycji rankingu, odnotował dobrą sprzedaż zarówno układów pamięci DRAM, jak i NAND flash. Niewielki spadek obrotów Intela - od 22 lat lidera rankingu - wystąpił już drugi rok z rzędu i wynika ze słabnącej sprzedaży komputerów osobistych, podsumowuje Gartner.

Pięciu największych dostawców półprzewodników wg wielkości obrotów w 2013 r.
[mln dolarów]

Pozycja Firma Obroty w 2013 r. Wzrost Udział w rynku
1. Intel

49,1

-1,0 15,4
2. Samsung 28,6 7,0 9,7
3. Qualcomm 13,2 30,6 5,5
4. SH Hynix 9,0 40,8 4,0
5. Micron 6,9 72,3 3,8
 

World News 24h

czwartek, 23 listopada 2017 19:53

An Israel-based semiconductor startup has reported positive results with its ReRAM technology. Weebit Nano recently published preliminary evaluation results of endurance and data retention measurement on 4Kb arrays on 300nm cells. In a telephone interview with EE Times, CEO Coby Hanoch said the results successfully conclude the 300nm 4Kb characterization. The measurement was done under a variety of temperature and duration conditions at 150, 200 and 260 degrees Celsius, monitoring the ability of the ReRAM cells to maintain their resistivity levels within industry acceptable ranges. Hanoch said 260 degrees Celsius is significant since it's the temperature used when soldering chipsets into printed circuit boards.

więcej na: www.eetimes.com