wersja mobilna
Online: 468 Czwartek, 2018.04.26

Biznes

Europejski bipolarny tranzystor SiGe 0,5THz

poniedziałek, 16 czerwca 2008 13:23

Powstało europejskie konsorcjum przemysłowo-akademickie, mające na celu opracowanie zaawansowanych, opartych na krzemie, bipolarnych tranzystorów o maksymalnej częstotliwości pracy 0,5THz na falach milimetrowych. Są przewidziane do zastosowań w łączności, w radarach, do przetwarzania informacji graficznych i do czujników. Zaplanowany na 36 miesięcy projekt, nazwany Dotfive, z budżetem 14,75 milionów euro, z wkładem 9,7 milionów euro z Komisji Europejskiej, staje się największym projektem nanoelektronicznym „More than Moore” w Siódmym Programie Ramowym KE.

Celem projektu jest zapewnienie w Europie silnej pozycji rynkowej dla krzemowo-germanowym bipolarnych tranzystorów heterozłączowych (SiGe HBT) do zastosowań na falach milimetrowych. Jest to próba wprowadzenia zastosowań mikrofalowych do krzemu, w przeciwstawieniu do używanych w tym zakresie innych półprzewodników, które są droższe, i nie pozwalają na scalanie na dużą skalę. W pierwszym roku głównym zadaniem projektu będzie osiągnięcie częstotliwości 300GHz z odpowiadającą jej zwłoką 3,5ps. Planuje się osiągnięcie w drugim roku 400GHz i 3ps, a w trzecim 500GHz i 2,5ps. Ostatecznie partnerzy zamierzają wkroczyć w zakres terahercowy, rozciągający się od 300GHz do 10THz. Otworzy to tę dziedzinę na wiele aplikacji, jak systemy przetwarzania informacji graficznych, zabezpieczania, czy medycznych i naukowych, eksploatowanych teraz przez inne technologie.

Początkowo projekt ma dostarczyć potwierdzenia koncepcji i wykazać możliwości technologii opartej na krzemie. Przygotowywany jest następny krok technologiczny, który pomoże przekroczyć rok 2012. Można będzie wtedy przejść do kolejnych projektów, bliższych fazy uprzemysłowienia.

Projekt Dotfive, prowadzony przez STMicroelectronics, połączył partnerów akademickich, którymi są Uniwersytet Keplera w Linzu (Austria), Państwowa Szkoła Elektroniki, IT i Radiołączności w Bordeaux, Uniwersytet Paryż-Południe (Francja), Techniczny Uniwersytet w Dreźnie, Uniwersytet Bundeswery w Monachium, Uniwersytet w Siegen i IHP (Niemcy), Uniwersytet w Neapolu (Włochy), Uniwersytet Badawczy w Leuven (Belgia) oraz partnerów przemysłowych, XMOD Technologies (Talence, Francja), GWT-TUD GmbH (Drezno, Niemcy) i Infineon Technologies (Monachium, Niemcy).

Krzysztof Pochwalski

 

World News 24h

czwartek, 26 kwietnia 2018 11:58

North America-based manufacturers of semiconductor equipment posted $2.42 billion in billings worldwide in March 2018, according to SEMI. The billings figure is 0.4 percent higher than the final February 2018 level of $2.41 billion, and is 16.7 percent higher than the March 2017 billings level of $2.08 billion. “March 2018 monthly billings for North American equipment manufacturers remain at robust levels,” said Ajit Manocha, president and CEO of SEMI. “We are seeing sustained strength in the global semiconductor equipment market, aligning with our expectation for a fourth consecutive year of spending growth." The SEMI Billings report uses three-month moving averages of worldwide billings for North American-based semiconductor equipment manufacturers.

więcej na: www.semi.org