wersja mobilna
Online: 374 Poniedziałek, 2018.06.18

Biznes

Toshiba rozpoczyna budowę zakładu Fab 6 oraz centrum R&D w Yokkaichi

wtorek, 14 lutego 2017 10:20

Toshiba Corporation rozpoczęła budowę nowego zakładu produkcji półprzewodników - Fab 6 oraz nowego centrum badawczo-rozwojowego - Memory R&D Center w Yokkaichi w prefekturze Mie w Japonii, gdzie znajduje się główna baza produkcyjna pamięci firmy. Fab 6 będzie produkował układy BiCS Flash, czyli pamięci Flash 3D Toshiby. Podobnie jak w przypadku obiektu Fab 5 budowa będzie przebiegać w dwóch etapach. Zakończenie fazy 1 zaplanowano na lato 2018 roku.

Tempo inwestycji i ostateczne zdolności produkcyjne zakładu Fab 6 mają być zoptymalizowane w stosunku do tendencji rynkowych. By określić cele i harmonogramy produkcyjne powstającej fabryki Toshiba prowadzić będzie dokładne monitorowanie rynku.

W sąsiedztwie nowej fabryki powstanie także centrum badawczo-rozwojowe zajmujące się układami pamięci. Zakończenie jego budowy przewidziano na grudzień 2017.

źródło: Toshiba

 

World News 24h

niedziela, 17 czerwca 2018 19:54

Renesas Electronics Corporation announced an update to its “Embedded Target for RH850 Multicore” model-based development environment for multicore microcontrollers for automotive control applications. The update supports development of systems with multirate control, which is now common in systems such as engine and body control systems. This model-based development environment has become practical even in software development scenarios for multicore MCUs, and can reduce the increasingly complex software development burdens especially in control system development of self-driving cars.

więcej na: www.renesas.com