wersja mobilna
Online: 859 Piątek, 2018.02.23

Biznes

Branża DRAM na plusie w II kw.

poniedziałek, 09 listopada 2009 11:05

Według wyliczeń iSuppli, średnia cena w II kw. za 1 mb pamięci DRAM wzrosła, o 18%, co było dużym zaskoczeniem nawet dla analityków, którzy przewidywali wzrost, jednak na poziomie zaledwie 2,6%. Jest to nietypowa sytuacja, jako że ceny tych elementów zwykle malały z każdym kwartałem. Zwiększyły się również dostawy w ujęciu pojemnościowym, o 14%, wobec prognozowanych przez firmę 6,2%. 

Tym samym rynek DRAM wzrósł o 33,7% do 4,511 mld dolarów w skali kwartalnej, wobec spadku o 1% w pierwszych trzech miesiącach roku. Wśród obserwatorów rynku panuje przekonanie, że po odbiciu się od dna w I kw. branża najgorsze ma już za sobą. Dobrze radziła sobie Elpida, która odnotowała wzrost obrotów o 50% w skali kwartalnej, z 497 do 745 mln dolarów. Średnie ceny produktów firmy zwiększyły się niemalże o 1/3, głównie za sprawą wzrostu udziału w całkowitej sprzedaży droższych, specjalizowanych układów na rynki konsumencki i urządzeń mobilnych.

Równie wysokie wzrosty były udziałem Winbond, który uzyskał poprawę o 99% do 87,6 mln dolarów, oraz Nanyi, o 38,1% do 237 mln. Winbond był jednocześnie jedynym graczem w zestawieniu, który uzyskał poprawę, aż o 113,7%, wobec ubiegłego roku. Znajdujące się na czele stawki Samsung oraz Hynix odnotowały wzrosty o ponad 30%, podczas gdy Micron, z poprawą na poziomie 29,8%, stracił udziały w rynku całkowitym z 14,3% do 13,9%.

Jedyną firmą w zestawieniu ze spadkami była Qimonda, tracąc 71,3% wobec I kw. W dalszej perspektywie, analitycy przewidują dalsze niedobory układów DDR3 na rynku z uwagi na wolną migrację do technologii procesowych w wymiarze 5x nm. Mimo okresu poprawy koniunktury firmy nadal niechętnie inwestują w nowe linie technologiczne. Ceny powinny się ustatkować, jednak niska podaż nadal będzie kształtować obraz rynku w 2010 r.

 

World News 24h

piątek, 23 lutego 2018 19:54

Toshiba has developed TaRF10, a new version of its TarfSOI CMOS process optimized for low-noise amplifiers in smartphone applications. In recent years, the increasing speed of mobile data communication has expanded the use of RF switches and filters in the analog front end of mobile devices. The resulting increase in signal loss between the antenna and receiver circuits has degraded receiver sensitivity, and focused attention on LNAs with a low Noise Figure as a means to compensate for signal loss and improve the integrity of the received signal. Toshiba has used its new TaRF10 process to develop a prototype LNA with avnoise figure of 0.72dB and a gain of 16.9dB at a frequency of 1.8GHz.

więcej na: www.electronicsweekly.com