wersja mobilna
Online: 725 Poniedziałek, 2018.06.25

Biznes

Samsung zapłaci Rambusowi 900 mln dol. za wykorzystanie licencji

piątek, 19 lutego 2010 07:22

Zgodnie z umową podpisaną w styczniu br., Samsung zapłaci amerykańskiemu Rambusowi, wytwórcy technologii pamięci DRAM, 900 mln dolarów za wykorzystanie patentów i licencji. Dzięki temu, firmy unikną procesów o naruszenie własności intelektualnej, z których pierwszy był wytoczony jeszcze w 2004 r.

Samsung dokona na rzecz Rambusa wstępnej zapłaty 200 mln dolarów, oraz będzie płacić kwartalnie po 25 mln dol. w ciągu najbliższych 5 lat za wykorzystywanie patentów amerykańskiej firmy, w tym patentów do aktualnie dostarczanych produktów DRAM. W ramach umowy, Samsung zainwestuje również w Rambusa kolejne 200 mln dol. Umowa zawiera klauzulę stanowiącą, że Samsung nie naruszył praw własności intelektualnej Rambusa.

 

Firmy zgodnie oświadczyły, że będą razem pracować nad technologiami pamięci nowej generacji, wstępnie koncentrując się na rozwiązaniach w zakresie pamięci graficznej i przenośnej. Oczekuje się, że wkrótce sąd ma wyznaczyć termin procesu w tej samej sprawie z powództwa Rambusa przeciwko producentom pamięci koreańskiemu Hynix i amerykańskiemu Micron.

 

World News 24h

niedziela, 24 czerwca 2018 19:52

TT Electronics has introduced SMD power inductors for use in high power density applications where size is critical. The low-profile devices are suitable for use in DC-DC converters using high switching frequencies up to 3MHz as well as EMI and low pass DC filters. Applications in the transportation field include powertrain, engine control, transmission control, LED driver, ABS braking systems, EPS, radar systems, and camera control systems. In the industrial sector they are suirable for use in automation systems as well as DC-DC converters. The HA66 series is a low profile, low loss, ferrite-based inductor designed with a wide range of inductances and package sizes. The series comprises a range of 38 inductors with inductance ratings from 2.5 to 220µH, DC resistances from 0.018 to 0.820Ω and Irms values from 1.22 to 11.2A.

więcej na: www.electronicsweekly.com