GaN HEMT od MITSUBISHI

Mitsubishi Electric Corporation opracowała trzy modele tranzystorów HEMT (High Electron Mobility Transistor) na bazie azotku galu (GaN). Dostępne są wersje o mocy 10W, 20W oraz 40W (odpowiednio MGF0840G, MGF0843G oraz MGF0846G). W odróżnieniu od tranzystorów arsenkowo-galowych (GaAs) zapewniają one wyższe napięcie przebicia oraz prędkości nasycenia nośników. Mogą one pracować w pasmach L – C (0,5 ~ 6 GHz), więc świetnie sprawdzą się w aplikacjach takich jak stacje bazowe czy terminale aperturowe. Tranzystory HEMT oferują poza tym większe gęstości energii, co przyczynia się do zmniejszenia wymiarów i wydłużenia żywotności pracy aplikacji końcowych.

Do podstawowych parametrów tranzystorów należą:

• moc wyjściowa 10W (MGF0840G), 20W (MGF0843G) oraz 40W (MGF0846G),

• odpowiednie dla pasm od L do C (0.5~6.0 GHz),

• PAE (Power Added Efficiency) 46% (MGF0846G), 48% (MGF0843G) oraz 50% (MGF0840G) (@P3dB, frequency = 2.6 GHz),

• High-voltage operation (47 V),

• Linear Power Gain 12 dB (MGF0846G), 13 dB (MGF0843G) oraz 14 dB (MGF0840G) @ frequency = 2.6 GHz,

• Małe wymiary obudowy (4.4 mm × 14.0 mm).