wersja mobilna
Online: 406 Środa, 2018.01.17
W katalogu znajduje się: 1274 firm i 9097 produktów
Precyzyjny podwójny MOSFET o zerowym napięciu progowym i dużej dynamice zmian prądu drenu

Precyzyjny podwójny MOSFET o zerowym napięciu progowym i dużej dynamice zmian prądu drenu

Złóż ofertę

ALD212900/A to podwójny tranzystor MOSFET o zerowym napięciu progowym, który w zakresie VGS>0,0 V funkcjonuje jako tranzystor z kanałem wzbogacanym, a w zakresie VGS<0,0 V jako tranzystor z kanałem zubażanym. Oba wewnętrzne tranzystory zostały precyzyjnie dopasowane w opracowanej przez Advanced Linear Devices technologii programowania elektronicznego EPAD.

ALD212900/A może znaleźć szeroki zakres zastosowań w źródłach i tzw. lustrach prądowych, układach pobierających zasilanie z przetworników wielkości nieelektrycznych (energy harvesting), detektorach przejścia przez zero, interfejsach czujników, stopniach wejściowych wzmacniaczy różnicowych o dużym wzmocnieniu, komparatorach napięcia oraz we wszelkiego typu układach analogowych i cyfrowych o bardzo małym napięciu zasilania. Funkcjonuje poprawnie już przy napięciu zasilającym 0,1 V.

Jest odpowiednikiem wprowadzonego wcześniej do sprzedaży wzmacniacza ALD110900/A, zapewniającym większą transkonduktancję i konduktancję wyjściową, zwłaszcza w zakresie bardzo małych napięć zasilania. Oba wewnętrzne tranzystory zapewniają dopasowane napięcia progowe VGS(th) w zakresie do ±1 mV i dopasowane współczynniki temperaturowe. ALD212900/A jest zamykany w 8-wyprowadzeniowych obudowach SOIC i DIP. Pracuje w komercyjnym zakresie temperatur. Sugerowane ceny hurtowe zaczynają się od 2,20 USD.

Ważniejsze dane techniczne:

  • napięcie zasilania: od 0,1 do 10 V;
  • VGS(th): 0,0 V ±0,01 V;
  • offset (VOS = VGS(th)1-VGS(th)2): typ. ±1 mV dla ALD212900A;
  • TCVOS: typ. 5 µV/°C;
  • minimalne napięcie pracy: <100 mV;
  • minimalny prąd: 1 nA;
  • minimalna moc: <1 nW; RDS(ON): 14 Ω;
  • IDS: >80 mA;
  • impedancja wejściowa: 2,5 x 1010 Ω;
  • wzmocnienie: >108 (30 mA/300 pA @ +25°C);
  • czas włączania/wyłączania: typ. 10 ns;
  • przesłuchy międzykanałowe: typ. 60 dB dla f=100 kHz.


Źródło prądowe z przełącznikiem MOSFET

Więcej na www.aldinc.com

Kategorie produktu

Podzespoły dla elektroniki i automatyki » Podzespoły półprzewodnikowe »

Zobacz podobne produkty

Transceiver RS485/RS422 odporny na przepięcia do ±60 V
Energooszczędne mikrokontrolery rodziny MSP430 w cenie od 0,25 USD
Kontroler ładowania bezprzewodowego z obsługą 15-watowego standardu Qi Extended Power
Najmniejsze na rynku 24-watowe sterowniki diod LED o wymiarach 13,5 x 13,5 x 1,27 mm
Ultraenergooszczędne mikrokontrolery PIC32 z 256 KB pamięci Flash i obsługą portu USB OTG
Konwerter DC-DC step-down 750 mA o zakresie napięć wejściowych 3…42 V
Konwerter DC-DC 10 A o sprawności 98% nie wymagający zewnętrznej cewki
Mikrokontrolery SAM z dużą liczbą wbudowanych interfejsów i sprzętowymi funkcjami szyfrowania
Szybki sprzęgacz optyczny do sterowania bramek tranzystorów MOSFET/IGBT
Oscylator kwarcowy 20...170 MHz o błędzie jitteru 95 fs
Przełącznik SPDT sygnałów w.cz. dużej mocy na pasmo DC...4 GHz
Szybkie transceivery RS-485 o napięciu pracy do 1000 V rms i wzmocnionej izolacji do 6 kV
Mikrokontrolery LPC546xx w nowych wersjach taktowanych zegarem do 220 MHz
Diody Schottky’ego typu deep-trench o doskonałym współczynniku parametrów do ceny
Translator częstotliwości o szumach fazowych <200 fs do systemów transmisyjnych 40/100 Gbps Multi-lane
Pierwszy procesor obrazu do samochodowych wyświetlaczy LCD o rozdzielczości Full HD
Impulsowy regulator napięcia 42 V/2 A o małej emisji elektromagnetycznej
Histeretyczny konwerter DC-DC Buck 1,5 A do zasilania diod LED
Sterownik diod LED o parametrach wyjściowych 36 V/2 A i małej emisji EMI
Energooszczędny, podwójny syntezer RF/IF + VCO o szerokim zakresie częstotliwości wyjściowych
Prostowniki mostkowe o dopuszczalnym prądzie 2 A i napięciu przebicia 1 kV
16-kanałowe 12- i 16-bitowe przetworniki C/A do telekomunikacyjnych modułów optycznych
Pierwsze mikrokontrolery "bezprzewodowe" Bluetooth 5-Ready z interfejsem CAN-FD
Diody Schottky’ego o niskim napięciu przewodzenia w miniaturowych obudowach 0603
Dwukanałowy układ pomiaru parametrów zasilania o dokładności ±0,3%
IVCE-8784
Przetwornice DC-DC serii Micro SIP
Wzmacniacz audio R2J15116FP
Układ kondycjonowania sygnałów AD8275
N-kanałowe tranzystory MOSFET
Wzmacniacz pomiarowy PGA308
Tranzystory Si7633DP
Przetworniki częstotliwość-sygnał UFDC-1
Wysokonapięciowe tranzystory MOSFET
Wielokanałowe filtry AOZ803x
Transceivery MAX13234E-MAX13237E
Miniaturowe odbiorniki IR TSOP75xxx
Sterowniki FAN31xx i FAN32xx
Transceivery MAX13234E-MAX13237E
Diody TSOP75xxx
Sterownik diod LED AHK3292
Wysokonapięciowy regulator LTM4609
Przełączniki sygnałów audio i danych ISL54210 i ISL54211
Kontrolery bezprzewodowego USB S3CR650
Stereofoniczny wzmacniacz audio klasy D CS3511
Kondensatory MLCC serii GJ8
7-portowy koncentrator USB USB2517
Wzmacniacz programowalny AD8264
Sterownik diod LED CAT4106
Tranzystor MOSFET ZXMS6004FF
Rezonator 32kHz SG-3050BC
Energooszczędny mikroprocesor ARM Cortex-M0
8, 16 i 32-bitowe mikrokontrolery do systemów przemysłowych
uBlox - Moduł GSM LEON
Energooszczędny odbiornik typu wake-up AS3932
8-wyjściowy oscylator zegarowy LTC6909
Wzmacniacze operacyjne ADA4817-1 i ADA4817-2
Cewki serii 1100R i 1300R
Miniaturowe odbiorniki IR TSOP75xxx
Tranzystor TrenchFET Si8422DB