wersja mobilna
Online: 853 Wtorek, 2018.01.16
W katalogu znajduje się: 1277 firm i 9097 produktów
Energooszczędne pamięci SRAM 8 Mb o dużej odporności na błędy miękkie

Energooszczędne pamięci SRAM 8 Mb o dużej odporności na błędy miękkie

Złóż ofertę

Firma Renesas wprowadziła do oferty dwie nowe, zaawansowane pamięci SRAM oznaczone symbolami RMLV0816B i RMLV0808B, produkowane w procesie 110 nm. Są to pamięci energooszczędne (Advanced LP SRAM) o pojemności 8 Mb, charakteryzujące się brakiem tzw. błędów miękkich i efektu latch-up. Tego typu pamięci o pojemności 4 Mb pojawiły się w ofercie Renesas już w grudniu 2013, natomiast teraz firma kieruje do sprzedaży nowe wykonania o pojemności 8 Mb, produkowane w technologii 110 nm (poprzednio 150 nm).

Oprócz wspomnianych już zalet pamięci RMLV0816B i RMLV0808B, kolejną jest energooszczędna praca. Pobór prądu w stanie standby nie przekracza tu 2 µA @ +25°C, co pozwala na zastosowania w urządzeniach z podtrzymaniem bateryjnym. Energooszczędne pamięci SRAM z oferty Renesas znajdują zastosowanie w przemyśle, motoryzacji i komunikacji oraz w urządzeniach biurowych i konsumenckich.

Wraz ze zwiększaniem funkcjonalności i poprawianiem parametrów elektrycznych systemów mikroprocesorowych, ważne jest również zwiększanie ich niezawodności. Ważna rola przypada tu pamięciom SRAM, w których przechowywane są krytyczne dane i oprogramowanie systemowe. W szczególności, istotnym parametrem jest tu odporność pamięci na promieniowanie alfa i neutrony pochodzące od promieniowania kosmicznego, powodujące pojawianie się tzw. błędów miękkich.

Dodanie przez firmę Renesas dodatkowego kondensatora do komórki pamięci Advanced LP SRAM pozwoliło w ogromnym stopniu zwiększyć ich odporność na pojawianie się błędów miękkich. Typowo błędy te są korygowane przez algorytmy ECC zaimplementowane w samej pamięci SRAM lub w systemie, jednak technika ta staje się nieskuteczna przy pojawianiu się błędów równocześnie w wielu komórkach.

Dlatego też najlepszym rozwiązaniem problemów z błędami miękkimi jest zamiast korygowania wyeliminowanie ich występowania już na poziomie struktury półprzewodnikowej. W nowych pamięciach Advanced LP SRAM produkowanych w procesie 150 nm błędy miękkie praktycznie nie występują. Dodatkowymi zaletami tych układów są brak efektu latch-up wynikający ze zmodyfikowanej struktury komórki oraz mała powierzchnia matrycy, wynikająca z zastosowania struktury piętrowej (stacked transistor technology).

Przykładowo, rozmiary komórek pamięci Advanced LP SRAM produkowanych przez Renesas w procesie 110 nm są porównywalne z rozmiarami komórek pamięci SRAM typu CMOS produkowanych w procesie 65 nm. Renesas planuje dołączenie do oferty pamięci SRAM o pojemności 16 Mb, również produkowanych w technologii 110 nm.

Więcej na www.renesas.eu

Kategorie produktu

Podzespoły dla elektroniki i automatyki » Podzespoły półprzewodnikowe »

Zobacz podobne produkty

Transceiver RS485/RS422 odporny na przepięcia do ±60 V
Energooszczędne mikrokontrolery rodziny MSP430 w cenie od 0,25 USD
Kontroler ładowania bezprzewodowego z obsługą 15-watowego standardu Qi Extended Power
Najmniejsze na rynku 24-watowe sterowniki diod LED o wymiarach 13,5 x 13,5 x 1,27 mm
Ultraenergooszczędne mikrokontrolery PIC32 z 256 KB pamięci Flash i obsługą portu USB OTG
Konwerter DC-DC step-down 750 mA o zakresie napięć wejściowych 3…42 V
Konwerter DC-DC 10 A o sprawności 98% nie wymagający zewnętrznej cewki
Mikrokontrolery SAM z dużą liczbą wbudowanych interfejsów i sprzętowymi funkcjami szyfrowania
Szybki sprzęgacz optyczny do sterowania bramek tranzystorów MOSFET/IGBT
Oscylator kwarcowy 20...170 MHz o błędzie jitteru 95 fs
Przełącznik SPDT sygnałów w.cz. dużej mocy na pasmo DC...4 GHz
Szybkie transceivery RS-485 o napięciu pracy do 1000 V rms i wzmocnionej izolacji do 6 kV
Mikrokontrolery LPC546xx w nowych wersjach taktowanych zegarem do 220 MHz
Diody Schottky’ego typu deep-trench o doskonałym współczynniku parametrów do ceny
Translator częstotliwości o szumach fazowych <200 fs do systemów transmisyjnych 40/100 Gbps Multi-lane
Pierwszy procesor obrazu do samochodowych wyświetlaczy LCD o rozdzielczości Full HD
Impulsowy regulator napięcia 42 V/2 A o małej emisji elektromagnetycznej
Histeretyczny konwerter DC-DC Buck 1,5 A do zasilania diod LED
Sterownik diod LED o parametrach wyjściowych 36 V/2 A i małej emisji EMI
Energooszczędny, podwójny syntezer RF/IF + VCO o szerokim zakresie częstotliwości wyjściowych
Prostowniki mostkowe o dopuszczalnym prądzie 2 A i napięciu przebicia 1 kV
16-kanałowe 12- i 16-bitowe przetworniki C/A do telekomunikacyjnych modułów optycznych
Pierwsze mikrokontrolery "bezprzewodowe" Bluetooth 5-Ready z interfejsem CAN-FD
Diody Schottky’ego o niskim napięciu przewodzenia w miniaturowych obudowach 0603
Dwukanałowy układ pomiaru parametrów zasilania o dokładności ±0,3%
IVCE-8784
Przetwornice DC-DC serii Micro SIP
Wzmacniacz audio R2J15116FP
Układ kondycjonowania sygnałów AD8275
N-kanałowe tranzystory MOSFET
Wzmacniacz pomiarowy PGA308
Tranzystory Si7633DP
Przetworniki częstotliwość-sygnał UFDC-1
Wysokonapięciowe tranzystory MOSFET
Wielokanałowe filtry AOZ803x
Transceivery MAX13234E-MAX13237E
Miniaturowe odbiorniki IR TSOP75xxx
Sterowniki FAN31xx i FAN32xx
Transceivery MAX13234E-MAX13237E
Diody TSOP75xxx
Sterownik diod LED AHK3292
Wysokonapięciowy regulator LTM4609
Przełączniki sygnałów audio i danych ISL54210 i ISL54211
Kontrolery bezprzewodowego USB S3CR650
Stereofoniczny wzmacniacz audio klasy D CS3511
Kondensatory MLCC serii GJ8
7-portowy koncentrator USB USB2517
Wzmacniacz programowalny AD8264
Sterownik diod LED CAT4106
Tranzystor MOSFET ZXMS6004FF
Rezonator 32kHz SG-3050BC
Energooszczędny mikroprocesor ARM Cortex-M0
8, 16 i 32-bitowe mikrokontrolery do systemów przemysłowych
uBlox - Moduł GSM LEON
Energooszczędny odbiornik typu wake-up AS3932
8-wyjściowy oscylator zegarowy LTC6909
Wzmacniacze operacyjne ADA4817-1 i ADA4817-2
Cewki serii 1100R i 1300R
Miniaturowe odbiorniki IR TSOP75xxx
Tranzystor TrenchFET Si8422DB