wersja mobilna
Online: 461 Poniedziałek, 2017.12.18
W katalogu znajduje się: 1276 firm i 9053 produktów
Energooszczędne pamięci SRAM 16 i 32 Mb o zwiększonej odporności na błędy logiczne

Energooszczędne pamięci SRAM 16 i 32 Mb o zwiększonej odporności na błędy logiczne

Złóż ofertę

Zapobieganie pojawianiu się błędów logicznych (soft errors) w pamięciach SRAM powodowanych przez promieniowanie alfa i neutrony promieniowania kosmicznego jest realizowane zwykle przez zastosowanie układu korekcji ECC. Technika ta ma jednak swoje ograniczenia. Na przykład może nie zadziałać w przypadku równoczesnego wystąpieniu błędów na kilku bitach. W opracowanych przez firmę Renesas pamięciach Advanced LP SRAM zmodyfikowano konstrukcję komórki, zapewniając m.in. jej dwukrotnie mniejsze rozmiary w porównaniu z pamięciami opartymi na konwencjonalnych 6-tranzystorowych komórkach CMOS.

Nowe pamięci mają też 500-krotnie większą odporność na błędy logiczne, wyeliminowano w nich również zjawiska zatrzaskiwania (latch-up) i zmniejszono pobór mocy. Cechy te osiągnięto dzięki dodaniu fizycznego kondensatora do każdego z węzłów komórki pamięci oraz wykonaniu tranzystorów p-MOS na tranzystorach n-MOS (bez kontaktu z podłożem), co zapobiega powstawaniu tyrystorów pasożytniczych i teoretycznie eliminuje możliwość "zatrzaśnięcia" komórki.

Do oferty tych pamięci weszły w ostatnim czasie dwa nowe układy: RMLV1616A o pojemności 16 Mb i RMWV3216A o pojemności 32 Mb. Są to pamięci energooszczędne, zaprojektowane z myślą o zwiększeniu niezawodności aplikacji przemysłowych i wydłużeniu ich czasu pracy na baterii podtrzymującej. Zostały wykonane w procesie technologicznym 110 nm. Pobierają odpowiednio 0,5 µA i 1 µA prądu ze źródła zasilającego (przy 3,0 V i +25°C), co stanowi mniej niż połowę prądu pobieranego przez wcześniejsze serie pamięci SRAM firmy Renesas produkowane w technologii 150 nm. Co więcej, w stanie statycznym mogą być zasilane niższym napięciem (1,5 V vs. 2,0 V). Wersja 16-megabitowa jest produkowana w trzech typach obudów: FBGA-48, TSOP-48 i μTSOP-52. Wersja 32-megabitowa jest produkowana w obudowie FBGA-48. Rozpoczęcie produkcji masowej tych układów przewidziano na październik 2015. Renesas rozpoczął już wcześniej produkcję masową 110-nanometrowych pamięci Advanced LP SRAM o pojemnościach 4 i 8 Mb.

Więcej na www.renesas.eu

Kategorie produktu

Podzespoły dla elektroniki i automatyki » Podzespoły półprzewodnikowe »

Zobacz podobne produkty

Transceiver RS485/RS422 odporny na przepięcia do ±60 V
Najmniejsze na rynku 24-watowe sterowniki diod LED o wymiarach 13,5 x 13,5 x 1,27 mm
Ultraenergooszczędne mikrokontrolery PIC32 z 256 KB pamięci Flash i obsługą portu USB OTG
Konwerter DC-DC step-down 750 mA o zakresie napięć wejściowych 3…42 V
Konwerter DC-DC 10 A o sprawności 98% nie wymagający zewnętrznej cewki
Mikrokontrolery SAM z dużą liczbą wbudowanych interfejsów i sprzętowymi funkcjami szyfrowania
Szybki sprzęgacz optyczny do sterowania bramek tranzystorów MOSFET/IGBT
Oscylator kwarcowy 20...170 MHz o błędzie jitteru 95 fs
Przełącznik SPDT sygnałów w.cz. dużej mocy na pasmo DC...4 GHz
Szybkie transceivery RS-485 o napięciu pracy do 1000 V rms i wzmocnionej izolacji do 6 kV
Mikrokontrolery LPC546xx w nowych wersjach taktowanych zegarem do 220 MHz
Diody Schottky’ego typu deep-trench o doskonałym współczynniku parametrów do ceny
Translator częstotliwości o szumach fazowych <200 fs do systemów transmisyjnych 40/100 Gbps Multi-lane
Pierwszy procesor obrazu do samochodowych wyświetlaczy LCD o rozdzielczości Full HD
Impulsowy regulator napięcia 42 V/2 A o małej emisji elektromagnetycznej
Histeretyczny konwerter DC-DC Buck 1,5 A do zasilania diod LED
Sterownik diod LED o parametrach wyjściowych 36 V/2 A i małej emisji EMI
Energooszczędny, podwójny syntezer RF/IF + VCO o szerokim zakresie częstotliwości wyjściowych
Prostowniki mostkowe o dopuszczalnym prądzie 2 A i napięciu przebicia 1 kV
16-kanałowe 12- i 16-bitowe przetworniki C/A do telekomunikacyjnych modułów optycznych
Diody Schottky’ego o niskim napięciu przewodzenia w miniaturowych obudowach 0603
IVCE-8784
Przetwornice DC-DC serii Micro SIP
Wzmacniacz audio R2J15116FP
Układ kondycjonowania sygnałów AD8275
N-kanałowe tranzystory MOSFET
Wzmacniacz pomiarowy PGA308
Tranzystory Si7633DP
Przetworniki częstotliwość-sygnał UFDC-1
Wysokonapięciowe tranzystory MOSFET
Wielokanałowe filtry AOZ803x
Transceivery MAX13234E-MAX13237E
Miniaturowe odbiorniki IR TSOP75xxx
Sterowniki FAN31xx i FAN32xx
Transceivery MAX13234E-MAX13237E
Diody TSOP75xxx
Sterownik diod LED AHK3292
Wysokonapięciowy regulator LTM4609
Przełączniki sygnałów audio i danych ISL54210 i ISL54211
Kontrolery bezprzewodowego USB S3CR650
Stereofoniczny wzmacniacz audio klasy D CS3511
Kondensatory MLCC serii GJ8
7-portowy koncentrator USB USB2517
Wzmacniacz programowalny AD8264
Sterownik diod LED CAT4106
Tranzystor MOSFET ZXMS6004FF
Rezonator 32kHz SG-3050BC
Energooszczędny mikroprocesor ARM Cortex-M0
8, 16 i 32-bitowe mikrokontrolery do systemów przemysłowych
uBlox - Moduł GSM LEON
Energooszczędny odbiornik typu wake-up AS3932
8-wyjściowy oscylator zegarowy LTC6909
Wzmacniacze operacyjne ADA4817-1 i ADA4817-2
Cewki serii 1100R i 1300R
Miniaturowe odbiorniki IR TSOP75xxx
Tranzystor TrenchFET Si8422DB
Dwukierunkowe zabezpieczenie nadnapięciowe-nadprądowe NCP370
Szybkie przełączniki sygnałów audio ISL54210 i ISL54211
Sterowniki bramek tranzystorów MOSFET FAN31xx
Impulsowy regulator napięcia MIC22700