wersja mobilna
Online: 1311 Środa, 2017.12.13
W katalogu znajduje się: 1271 firm i 9049 produktów
Najszybsza na rynku pamięć DRAM 4 GB o przepustowości 256 GBps

Najszybsza na rynku pamięć DRAM 4 GB o przepustowości 256 GBps

Złóż ofertę

Samsung rozpoczyna masową produkcję najszybszej obecnie na rynku pamięci DRAM o pojemności 4 GB, bazującej na interfejsie HBM drugiej generacji (HBM2). Układ zapewnia 7-krotnie większą przepustowość danych w porównaniu z najszybszymi dotąd pamięciami DRAM, wynoszącą 256 GBps. Nowa pamięć została zaprojektowana z myślą o zastosowaniach w systemach komputerowych HPC nowej generacji, na kartach graficznych, w infrastrukturze sieciowej i serwerach korporacyjnych.

Wykonano ją w procesie technologicznym 20 nm w układzie przestrzennym z czterema strukturami HBM2 o pojemności po 8 Gb ułożonymi warstwowo na dolnej strukturze bufora.

Całość jest połączona elektrycznie za pomocą przelotek TCV i mikro-wyprowadzeń sferycznych, podobnych jak w układach BGA. Pojedyncza 8-gigabitowa struktura HBM2 zawiera około 5000 przelotek TSV, a więc ponad 36-krotnie więcej niż w przypadku struktury 8 Gb TSV DDR4 wcześniejszej generacji, co świadczy o dużym skoku jakościowym w szybkości transmisji danych w porównaniu z wcześniejszymi strukturami łączonymi w technologii wire-bond.

Nowe pamięci DRAM zapewniają przepustowość 256 GBps, dwukrotnie większą od wcześniejszych pamięci HBM1 DRAM i ponad 7-krotnie większą od 4-gigabitowych pamięci GDDR5 DRAM. Ich kolejne zalety to dwukrotnie większy współczynnik przepustowości do poboru mocy w stosunku do 4-gigabitowych pamięci GDDR5 oraz wbudowana funkcja korekcji ECC.

Jeszcze w tym roku firma Samsung planuje wyprodukować pamięć HBM2 DRAM o pojemności 8 GB. Jej zastosowanie na kartach graficznych pozwoli zaoszczędzić ponad 95% powierzchni w porównaniu z pamięciami GDDR5 DRAM. Z tego względu pamięci HGM2 idealnie nadają się do zastosowań w układach graficznych urządzeń o największej gęstości upakowania podzespołów.

Więcej na www.samsung.com

Kategorie produktu

Podzespoły dla elektroniki i automatyki » Podzespoły półprzewodnikowe »

Zobacz podobne produkty

Transceiver RS485/RS422 odporny na przepięcia do ±60 V
Najmniejsze na rynku 24-watowe sterowniki diod LED o wymiarach 13,5 x 13,5 x 1,27 mm
Ultraenergooszczędne mikrokontrolery PIC32 z 256 KB pamięci Flash i obsługą portu USB OTG
Konwerter DC-DC step-down 750 mA o zakresie napięć wejściowych 3…42 V
Konwerter DC-DC 10 A o sprawności 98% nie wymagający zewnętrznej cewki
Mikrokontrolery SAM z dużą liczbą wbudowanych interfejsów i sprzętowymi funkcjami szyfrowania
Szybki sprzęgacz optyczny do sterowania bramek tranzystorów MOSFET/IGBT
Oscylator kwarcowy 20...170 MHz o błędzie jitteru 95 fs
Przełącznik SPDT sygnałów w.cz. dużej mocy na pasmo DC...4 GHz
Szybkie transceivery RS-485 o napięciu pracy do 1000 V rms i wzmocnionej izolacji do 6 kV
Mikrokontrolery LPC546xx w nowych wersjach taktowanych zegarem do 220 MHz
Diody Schottky’ego typu deep-trench o doskonałym współczynniku parametrów do ceny
Translator częstotliwości o szumach fazowych <200 fs do systemów transmisyjnych 40/100 Gbps Multi-lane
Pierwszy procesor obrazu do samochodowych wyświetlaczy LCD o rozdzielczości Full HD
Impulsowy regulator napięcia 42 V/2 A o małej emisji elektromagnetycznej
Histeretyczny konwerter DC-DC Buck 1,5 A do zasilania diod LED
Sterownik diod LED o parametrach wyjściowych 36 V/2 A i małej emisji EMI
Energooszczędny, podwójny syntezer RF/IF + VCO o szerokim zakresie częstotliwości wyjściowych
Prostowniki mostkowe o dopuszczalnym prądzie 2 A i napięciu przebicia 1 kV
16-kanałowe 12- i 16-bitowe przetworniki C/A do telekomunikacyjnych modułów optycznych
Diody Schottky’ego o niskim napięciu przewodzenia w miniaturowych obudowach 0603
IVCE-8784
Przetwornice DC-DC serii Micro SIP
Wzmacniacz audio R2J15116FP
Układ kondycjonowania sygnałów AD8275
N-kanałowe tranzystory MOSFET
Wzmacniacz pomiarowy PGA308
Tranzystory Si7633DP
Przetworniki częstotliwość-sygnał UFDC-1
Wysokonapięciowe tranzystory MOSFET
Wielokanałowe filtry AOZ803x
Transceivery MAX13234E-MAX13237E
Miniaturowe odbiorniki IR TSOP75xxx
Sterowniki FAN31xx i FAN32xx
Transceivery MAX13234E-MAX13237E
Diody TSOP75xxx
Sterownik diod LED AHK3292
Wysokonapięciowy regulator LTM4609
Przełączniki sygnałów audio i danych ISL54210 i ISL54211
Kontrolery bezprzewodowego USB S3CR650
Stereofoniczny wzmacniacz audio klasy D CS3511
Kondensatory MLCC serii GJ8
7-portowy koncentrator USB USB2517
Wzmacniacz programowalny AD8264
Sterownik diod LED CAT4106
Tranzystor MOSFET ZXMS6004FF
Rezonator 32kHz SG-3050BC
Energooszczędny mikroprocesor ARM Cortex-M0
8, 16 i 32-bitowe mikrokontrolery do systemów przemysłowych
uBlox - Moduł GSM LEON
Energooszczędny odbiornik typu wake-up AS3932
8-wyjściowy oscylator zegarowy LTC6909
Wzmacniacze operacyjne ADA4817-1 i ADA4817-2
Cewki serii 1100R i 1300R
Miniaturowe odbiorniki IR TSOP75xxx
Tranzystor TrenchFET Si8422DB
Dwukierunkowe zabezpieczenie nadnapięciowe-nadprądowe NCP370
Szybkie przełączniki sygnałów audio ISL54210 i ISL54211
Sterowniki bramek tranzystorów MOSFET FAN31xx
Impulsowy regulator napięcia MIC22700