Energooszczędna 4-megabitowa pamięć ReRAM o poborze prądu 0,2 mA w trybie odczytu
Zapytaj o produkt
Fujitsu Semiconductor rozpoczyna masową produkcję największej obecnie na rynku 4-megabitowej pamięci nieulotnej ReRAM (Resistive RAM), oznaczonej symbolem MB85AS4MT. Układ ten charakteryzuje się bardzo małym prądem odczytu, co w zestawieniu z małymi gabarytami czyni go idealnym do zastosowań w aparatach słuchowych i innych miniaturowych urządzeniach przenośnych, sensorach itp.
Zawiera interfejs SPI taktowany zegarem do 5 MHz. Pracuje z napięciem zasilania od 1,65 do 3,6 V, pobierając najmniejszy średni prąd odczytu (0,2 mA @ 5 MHz) spośród wszystkich pamięci nieulotnych dostępnych obecnie na rynku.
Jest zamykany w obudowie SOP-8 kompatybilnej pod względem rozkładu wyprowadzeń z innymi pamięciami nieulotnymi, np. EEPROM.
Ważniejsze dane techniczne MB85AS4MT:
- pojemność: 4 Mb (512 K słów x 8 bitów),
- interfejs: SPI,
- napięcie zasilania: 1,65...3,6 V,
- pobór prądu:
- odczyt: 0,2 mA (@ 5 MHz),
- zapis: 1,3 mA,
- standby: 10 µA,
- sleep: 2 µA,
- gwarantowana liczba cykli zapisu: 1,2 miliona,
- gwarantowana liczba cykli odczytu: bez ograniczeń,
- czas zapisu (strona 256 bajtów): 16 ms,
- czas retencji danych: 10 lat (do +85°C),
- obudowa: 209 mil SOP-8.
