Tranzystory MOSFET OptiMOS Linear o małej rezystancji RDS(on) i szerokim obszarze SOA
Infineon Technologies AG
Nowe tranzystory MOSFET OptiMOS Linear firmy Infineon wyróżniają się o małą rezystancją RDS(on), typową dla tranzystorów MOSFET typu Trench oraz szerokim obszarem bezpiecznej pracy (SOA), typowym dla planarnych tranzystorów MOSFET. Cecha ta pozwala pogodzić wymogi odnośnie do małej rezystancji przewodzenia i możliwości pracy w trybie liniowym.
Tranzystory OptiMOS Linear mogą pracować w obszarze nasycenia wzbogacanego tranzystora MOSFET. Nadają się do zastosowań w układach hot-swap, e-fuse i aplikacjach zabezpieczających, stosowanych typowo w telekomunikacji i systemach zarządzania zasilaniem. Obecnie ich oferta obejmuje wersje o napięciach znamionowych 100, 150 i 200 V produkowane w obudowach D²PAK 3- i 7-wyprowadzeniowych.
| Napięcie znamionowe | Obudowa | Oznaczenie | RDS(on) (maks.) @ VGS=10 V | SOA @ 56 V, 10 ms |
| 100 V | D2PAK (7-pin) | IPB017N10N5LF | 1,7 mΩ | 10,2 A |
| D2PAK | IPB020N10N5LF | 2,0 mΩ | 10,2 A | |
| D2PAK |
IPB033N10N5LF | 3,3 mΩ | 7,0 A | |
| 150 V | D2PAK | IPB048N15N5LF | 4,8 mΩ | 10,8 A |
| D2PAK |
IPB083N15N5LF | 8,3 mΩ | 5,6 A | |
| 200 V | D2PAK |
IPB110N20N3LF | 11,0 mΩ | 8,7 A |
