Nowa generacja 650-woltowych diod Schottky\'ego SiC o krótkich czasach przełączania

Infineon Technologies AG wprowadza na rynek kolejną rodzinę szybkich 650-woltowych diod Schottky\'ego produkowanych na podłożach SiC i adresowanych do zasilaczy impulsowych, instalacji oświetleniowych i falowników w instalacjach fotowoltaicznych.

Diody CoolSiC 650 V G6 od diod wcześniejszych generacji odróżniają się zmodyfikowaną strukturą komórek i metalu, pozwalającą uzyskać niskie napięcie przewodzenia, równe 1,25 V, najmniejszy w tej klasie elementów współczynnik Figure of Merit (QC x VF), niższy o 17% od wcześniejszych wersji oraz odporność na szybkie impulsy dv/dt, do 150 V/ns.

Zapewniają znacznie szybsze przełączanie przy parametrach niezależnych od temperatury i mniejszą emisję ciepła. Są produkowane w wersjach na zakres prądów przewodzenia od 4 A (ozn. IDH04G65C6) do 20 A (IDH20G65C6) i zamykane w obudowach TO-220. Ich zakres dopuszczalnych temperatur złącza rozciąga się od -55 do +175°C.