Tranzystor TrenchFET Si8422DB

Pierwszy tranzystor TrenchFET w obudowie MICRO FOOT z górną powłoką izolacyjną

Firma Vishay wyprodukowała pierwszy tranzystor TrenchFET zamknięty w miniaturowej obudowie MICRO FOOT (1,55 x 1,55 x 0,64mm) wyposażonej w górną warstwę izolacyjną. Model Si84422DB jest przeznaczony do zastosowań we wzmacniaczach mocy, bateriach i przełącznikach zasilania urządzeń bateryjnych o największym stopniu upakowania podzespołów.

Umieszczona na górnej powierzchni obudowy warstwa izolacyjna o grubości 0,05mm eliminuje ryzyko powstawania zwarć w wyniku przypadkowego kontaktu tranzystora z warstwą ekranującą, ekranem dotykowym, przełącznikami itp.

Si8422DB to tranzystor N-kanałowy o napięciu przebicia 20V. Charakteryzuje się rezystancją R_DS(on) wynoszącą 0,043Ω przy V_GS=1,8V i 0,037Ω przy V_GS=4,5V. Pracuje z maksymalnym napięciem V_GS równym ±8V.