Tranzystory mocy w nowych obudowach Double DPAK z chłodzoną powierzchnią górną

Produkt firmy:

Infineon Technologies AG

Kategoria produktu: Podzespoły energoelektroniczne

Wraz z rosnącym stopniem złożoności produktów końcowych, rosną też wymogi odnośnie parametrów stosowanych w nich zasilaczy, w tym zapewnienia jak największej mocy wyjściowej i sprawności w jak najmniejszej przestrzeni montażowej. Jednymi z najważniejszych komponentów zasilaczy impulsowych są tranzystory mocy. Od kilku lat można zauważyć wzrost zainteresowania tranzystorami mocy produkowanymi w obudowach SMD, aczkolwiek barierą stojącą na przeszkodzie uzyskiwania w nich coraz większej sprawności energetycznej jest szybkość odprowadzania ciepła.

Rozwiązaniem tego problemu mogą być nowo opracowane przez firmę Infineon obudowy Double DPAK (DDPAK), będące pierwszymi tego typu konstrukcjami z chłodzeniem od góry. Produkowane w nich tranzystory mogą znaleźć zastosowanie w układach zasilających serwerów, systemów telekomunikacyjnych i solarnych oraz wysokiej klasy komputerów PC, pozwalając zapewnić krótkie czasy przełączania przy małych wymiarach i masie tranzystora.

Obecnie w obudowach Double DPAK są produkowane 600-woltowe tranzystory MOSFET rodziny CoolMOS G7 SJ o ciągłym prądzie drenu do 47 A i 650-woltowe diody Schottky’ego CoolSiC G6 o prądzie przewodzenia do 20 A.

Zastosowane tu podwójne wyprowadzenie źródła w 4-wyprowadzeniowej obudowie pozwala dostarczać niezakłócony sygnał sprzężenia zwrotnego do układu sterowania tranzystora i zwiększyć sprawność energetyczną w zakresie dużych obciążeń.

  VDS RDS(on) maks. ID maks. ID maks. (w impulsie) QG
IPDD60R050G7 600 V 50 mΩ 47 A 135 A 68 nC
IPDD60R080G7 80 mΩ 29 A 83 A 42 nC
IPDD60R125G7 125 mΩ 20 A 54 A 27 nC
IPDD60R150G7 150 mΩ 16 A 45 A 23 nC
IPDD60R190G7 190 mΩ 13 A 36 A 18 nC