Dioda Schottky'ego o małym prądzie wstecznym i małej rezystancji termicznej

Toshiba wprowadza do oferty nowy typ diody Schottky’ego o symbolu CUHS10F60, wyróżniającej się małym prądem wstecznym i rezystancją termiczną obudowy 105°C/W, mniejszą o 50% od wcześniejszych wersji zamykanych w obudowach USC. Jest to dioda zaprojektowana do zastosowań w układach zasilania, pracująca z maksymalnym średnim prądem przewodzenia równym 1 A przy napięciu przewodzenia 0,56 V @ 1 A.

W porównaniu z wprowadzonym wcześniej na rynek modelem CUS04 charakteryzuje się mniejszym o około 60% maksymalnym prądem wstecznym (ok. 40 mA), zapewniającym mniejsze straty mocy. Dodatkowo, jej dopuszczane napięcie wsteczne zostało zwiększone z 40 do 60 V, co poszerza zakres zastosowań.