stdClass Object
(
    [id] => 13926
    [categories_id] => 2757
    [categories_type_id] => 1511
    [categories_article_type_id] => 2687
    [catalog_firm_id] => 508
    [users_last_edit_id] => 3230
    [assets_id] => 
    [ulubionykiosk_id] => 0
    [name] => 1700-woltowe tranzystory CoolSiC MOSFET do układów zasilania
    [alias] => 1700-woltowe-tranzystory-coolsic-mosfet-do-ukladow-zasilania
    [introtext] => 

Infineon Technologies uzupełnia ofertę tranzystorów CoolSiC MOSFET o kolejną klasę napięciową. Po wprowadzonych wcześniej w tym roku tranzystorach 650-woltowych, obecnie do oferty firmy wchodzą trzy nowe wersje o napięciu znamionowym 1700 V: IMBF170R1K0M1, IMBF170R650M1 i IMBF170R450M1.

[fulltext] =>

Tranzystory te różnią się między sobą rezystancją RDS(on), wynoszącą odpowiednio 1000, 650 i 450 mΩ oraz maksymalnym prądem drenu, odpowiednio 5,2 A, 7,4 A i 9,8 A. Pracują z napięciem progowym bramki 4,5 V. Są produkowane w 7-wyprowadzeniowych obudowach TO-263 o drodze upływu i odstępie izolacyjnym powyżej 7 mm. Ich najważniejszymi zaletami są duża niezawodność oraz małe straty przy przewodzeniu i przełączaniu, wynikające z małej rezystancji kanału i małej pojemności wewnętrznej, typowej dla tranzystorów o strukturze Trench. Tranzystory IMBF170R1K0M1, IMBF170R650M1 i IMBF170R450M1 są polecane do zastosowań w falownikach systemów solarnych oraz zasilaczach i ładowarkach przemysłowych. Mogą pracować przy maksymalnej temperaturze złącza +175°C.

[price] => 0.00 [price_old] => [meta_title] => [meta_description] => [meta_data] => [published] => 1 [date_modified] => 2020-08-03 05:50:52 [date_created] => 2020-08-03 05:47:40 [date_publish] => 2020-08-03 05:47:40 [date_publish_down] => 0000-00-00 00:00:00 [hits] => 0 [checked_out] => 0 [checked_out_time] => 0000-00-00 00:00:00 [redakcja] => 1 [ceneo_phrase] => [product_name] => [www] => www.infineon.com [firm_name] => Infineon Technologies AG [firmId] => 508 [firmType] => 1975 [firmCategory] => 2457 [firmAlias] => infineon-technologies-ag [firmWww] => http://www.infineon.com [firmPaid] => 0 [categoryTitle] => Podzespoły energoelektroniczne [articleTypeId] => 2687 [articleTypeTitle] => Zasilanie [linkCategory] => /produkty/podzespoly-elektroniczne/podzespoly-energoelektroniczne [articleTypeListLink] => /zasilanie/produkty )

1700-woltowe tranzystory CoolSiC MOSFET do układów zasilania

Produkt firmy:

Infineon Technologies AG

Infineon Technologies uzupełnia ofertę tranzystorów CoolSiC MOSFET o kolejną klasę napięciową. Po wprowadzonych wcześniej w tym roku tranzystorach 650-woltowych, obecnie do oferty firmy wchodzą trzy nowe wersje o napięciu znamionowym 1700 V: IMBF170R1K0M1, IMBF170R650M1 i IMBF170R450M1.

Tranzystory te różnią się między sobą rezystancją RDS(on), wynoszącą odpowiednio 1000, 650 i 450 mΩ oraz maksymalnym prądem drenu, odpowiednio 5,2 A, 7,4 A i 9,8 A. Pracują z napięciem progowym bramki 4,5 V. Są produkowane w 7-wyprowadzeniowych obudowach TO-263 o drodze upływu i odstępie izolacyjnym powyżej 7 mm. Ich najważniejszymi zaletami są duża niezawodność oraz małe straty przy przewodzeniu i przełączaniu, wynikające z małej rezystancji kanału i małej pojemności wewnętrznej, typowej dla tranzystorów o strukturze Trench. Tranzystory IMBF170R1K0M1, IMBF170R650M1 i IMBF170R450M1 są polecane do zastosowań w falownikach systemów solarnych oraz zasilaczach i ładowarkach przemysłowych. Mogą pracować przy maksymalnej temperaturze złącza +175°C.

Zapytanie ofertowe
Dotyczy produktu
1700-woltowe tranzystory CoolSiC MOSFET do układów zasilania
Firma: Infineon Technologies AG
Kategoria: Podzespoły energoelektroniczne
Treść zapytania *
Imię i nazwisko *
Nazwa firmy
Adres firmy
Kod pocztowy
Miasto
E-mail *
Telefon
Usługa przesyłania zapytań ofertowych jest bezpłatna i nie rodzi żadnego zobowiązania po stronie zadającego pytanie. Administratorem danych osobowych jest AVT-Korporacja sp. z o.o. z siedzibą: ul. Leszczynowa 11, 03-197 Warszawa. Celem przetwarzania danych jest realizacja usługi i jest ograniczone czasowo do jej wykonania. Podstawa prawna: art. 5, 6, 12, 13 Ogólnego rozporządzenia o ochronie danych osobowych (RODO).