1200-woltowe diody Schottky'ego SiC do układów zasilania

Kategoria produktu: Podzespoły półprzewodnikowe

Mitsubishi Electric informuje o nowej serii 1200-woltowych diod Schottky'ego, zrealizowanych na podłożu SiC (SiC-SBD), przeznaczonych do zastosowań w układach zasilania. Pozwalają one obniżyć o ponad 20% straty konwersji w porównaniu z odpowiednikami krzemowymi oraz zmniejszyć objętość montażową. Zostały wyprodukowane w technologii junction-barrier Schottky (JBS), zapewniającej długi czas bezawaryjnej pracy. Występują w wersjach o parametrach znamionowych 1200 V/10 A i 1200 V/20 A.

Są zamykane w dwóch typach obudów: standardowej TO-247 oraz TO-247-2 o zwiększonym odstępie izolacyjnym. Występują też w wersji z kwalifikacją AEC-Q101 (ozn. BD20120SJ). Pierwsze wersje próbne mają się pojawić na rynku w czerwcu b.r.

Seria

Model

Obudowa

Parametry

Wersje próbne

Rozpoczęcie
produkcji

1200V SiC-SBD

BD10120P

TO-247-2

1200V/10A

czerwiec 2019

styczeń 2020

BD20120P

1200V/20A

BD10120S

TO-247

1200V/10A

BD20120S

1200V/20A

BD20120SJ

1200V/20A
AEC-Q101

kwiecień 2020