Kontroler PWM i sterownik bramek GaN FET do satelitów niskoorbitalnych

Kategoria produktu: Podzespoły półprzewodnikowe

Renesas Electronics wprowadza na rynek pierwszy kontroler PWM i sterownik tranzystorów GaN FET do satelitów niskoorbitalnych, zamykane w plastikowych obudowach. Są one przeznaczone do realizacji izolowanych, zaporowych przetwornic DC-DC, półmostkowych stopni mocy i układów napędowych, zapewniając odporność na napromieniowanie do 30krads(Si) TID (total ionizing doze) oraz cząstki jonizujące o energii (LET) do 43 MeV x cm²/mg.

Kontroler PWM ISL71043M, produkowany w plastikowej obudowie SOIC-8 (5 x 4 mm), pozwala nawet trzykrotnie zmniejszyć wymaganą powierzchnię płytki drukowanej w stosunku do wcześniejszych wersji zamykanych w obudowach ceramicznych. Charakteryzuje się krótkim czasem propagacji sygnału i krótkimi czasami przełączania, poborem prądu poniżej 5,5 mA oraz częstotliwością pracy do 1 MHz, co przekłada się na dużą sprawność energetyczną i możliwość współpracy z miniaturowymi elementami pasywnymi.

Zakres napięć zasilania układu rozciąga się od 9 do 13,2 V, a jego maksymalny pobór prądu to 5,5 mA. Wbudowany sterownik bramki tranzystora MOSFET pracuje z wydajnością prądową 1 A i zapewnia czasy narastania/opadania wynoszące 35 ns przy pojemności obciążenia 1 nF. ISL71040M to sterownik bramek tranzystorów GaN FET pracujących w układzie low-side.

Charakteryzuje się zakresem napięć zasilania od 4,5 do 13,2 V, napięciem wyjściowym 4,5 V i możliwością współpracy z sygnałami logicznymi do 14,7 V, niezależnie od wartości napięcia zasilającego. Zawiera wejścia odwracające i nieodwracające oraz dzielone wyjście, umożliwiające regulowanie szybkości włączania i wyłączania tranzystora.

Zapewnia niezawodną pracę dzięki utrzymywaniu precyzyjnej kontroli napięcia wyjściowego w zakresie tolerancji +3%/-5% w całym zakresie dopuszczalnych temperatur pracy. Wydajność prądowa wyjść wynosi +3 A/-2,8 A, a czasy narastania/opadania sygnału 4,3 ns/3,7 ns przy obciążeniu 1 nF. Układ zawiera zabezpieczenie podnapięciowe.

Jest zamykany w obudowie TDFN-9 (4 x 4 mm). Do współpracy z obydwoma układami producent poleca tranzystory ISL73024SEH (200 V) i ISL73023SEH (100 V) oraz izolator cyfrowy ISL71610M, pozwalające na realizację stopni mocy o różnych konfiguracjach.