650-woltowe sterowniki bramek tranzystorów MOSFET/IGBT produkowane w technologii SOI

Firma Infineon powiększa ofertę półmostkowych sterowników bramek tranzystorów MOSFET i IGBT o nowe wersje 650-woltowe produkowane w technologii SOI, stanowiące rozszerzenie rodziny EiceDRIVER. W porównaniu z poprzednikami zapewniają one większą odporność na przepięcia o ujemnej polaryzacji i na zatrzaskiwanie oraz zawierają zintegrowaną diodę bootstrap. Cechy te pozwalają projektować bardziej niezawodne falowniki z tranzystorami MOSFET i IGBT przy niższym koszcie podzespołów.

Wersje wysokoprądowe serii 2ED218x, pracujące z prądem przewodzenia do 2,5 A są polecane do zastosowań w aplikacjach w.cz., takich jak kuchenki indukcyjne, kompresory w klimatyzatorach oraz zasilacze impulsowe i UPS. Wersje niskoprądowe serii 2ED210x, polecane do zastosowań w elektronarzędziach, pompach, wentylatorach i urządzeniach AGD, pracują z maksymalnym prądem przewodzenia 0,7 A. Dostępne są warianty z funkcją shutdown oraz z rozdzieloną masą sekcji zasilania i sygnałowej. Wbudowana dioda bootstrap o rezystancji przewodzenia wynoszącej typowo 30 W, zapewnia bardzo krótki czas regeneracji.

Nowe sterowniki EiceDRIVER są odporne na powtarzające się impulsy ujemne do -100 V na linii -VS o szerokości do 300 ns. Zawierają zabezpieczenie podnapięciowe i przed równoczesnym zadziałaniem obu tranzystorów w stopniu wyjściowym. Charakteryzują się czasem propagacji poniżej 200 ns. Sterowniki serii 2ED218x i 2ED210x zapewniają kompatybilność pod względem rozkładu wyprowadzeń, elektrycznym i funkcjonalnym ze sterownikami IR(S)218x i IR(S)210x poprzedniej generacji. Są zamykane w obudowach DSO-8 (SOIC8) i DSO-14 (SOIC-14). Zapewniają odporność na wyładowania ESD do 2 kV HBM (seria 2ED218x).