Superzłączowe tranzystory MOSFET 600 V do aplikacji niskoczęstotliwościowych

600-woltowe superzłączowe tranzystory CoolMOS S7 firmy Infineon zapewniają bardzo dużą sprawność i gęstość mocy w aplikacjach pracujących z małymi częstotliwościami taktowania. Mogą znaleźć zastosowanie w aktywnych mostkach prostowniczych, falownikach, sterownikach PLC, przekaźnikach półprzewodnikowych dużej mocy i półprzewodnikowych wyłącznikach automatycznych. Ich kluczową cechą są zoptymalizowane parametry decydujące o stratach przy przewodzeniu. Ponadto, tranzystory te wykazują małą rezystancję termiczną i odporność na duże impulsy prądowe.

Tranzystory CoolMOS S7 zostały zaprojektowane z myślą o zmniejszeniu strat na przewodzenie oraz zapewnieniu krótkiego czasu odpowiedzi i dużej sprawności energetycznej w niskoczęstotliwościowych układach impulsowych. Wykazują najmniejszą rezystancję R_DS(on) spośród wszystkich dostępnych obecnie wysokonapięciowych tranzystorów przełączających, w tym również tranzystorów wcześniejszej rodziny CoolMOS 7. Obecnie występują w wersjach o rezystancji R_DS(on) od 22 mΩ, zamykanych w obudowach TO-leadless (HSOF-8) i TO-220. W 4. kwartale 2020 mają się pojawić na rynku wersje o rezystancji R_DS(on) zredukowanej do 10 mΩ, zamykane w obudowach QDPAK z chłodzoną górną powierzchnią.