wersja mobilna
Online: 2298 Wtorek, 2017.03.28

Biznes

Samsung umacnia przewagę na rynku NAND

środa, 24 marca 2010 07:28

Sześciu dostawców rywalizujących na rynku pamięci NAND flash utrzymało w IV kw. 2009 r. pozycje, jakie zajmowali w okresie wcześniejszym. Zgodnie z danymi przedstawionymi przez analityków DRAM Exchange, koreański Samsung utrzymał w IV kw. 2009 r. prowadzenie na rynku pamięci NAND, zwiększając przewagę nad zajmującą drugie miejsce Toshibą. W okresie tym średnie ceny pamięci NAND flash wzrosły o 5%, podczas gdy łączne dostawy NAND flash liczone w bitach wzrosły o około 10% w porównaniu do kwartału III.

 

Udziały Samsunga w rynku wyniosły 38,6%, a jego obroty 1,50 miliarda dol. Toshiba uzyskała 32,7-procentowy udział przy obrotach 1,27 miliarda dol., a trzeci Micron odpowiednio 9,9% przy obrotach 385 mln dol. Na dalszych miejscach znaleźli się kolejno Hynix, z przychodami niższymi jedynie o 5 mln dol. od Microna, Intel i Numonyx. W IV kw. przychody dostawców pamięci NAND flash wzrosły w ujęciu kwartalnym o 15,7%, do 3,88 mld dol.

 

World News 24h

wtorek, 28 marca 2017 10:03

Transphorm Inc. announced that its second generation, JEDEC-qualified high voltage GaN technology is now the industry’s first GaN solution to earn automotive qualification - having passed the Automotive Electronics Council’s AEC-Q101 stress tests for automotive-grade discrete semiconductors. Transphorm’s automotive GaN FET, the TPH3205WSBQA, offers an on-resistance of 49 milliOhms in an industry standard TO-247 package. The part initially targets on-board charger and DC to DC systems for plug-in hybrid electric vehicles and battery electric vehicles.

więcej na: www.transphormusa.com