wersja mobilna
Online: 1605 Środa, 2017.09.20

Biznes

Samsung wprowadza układy NAND klasy 20-nm

piątek, 21 maja 2010 12:51

Samsung poinformował o rozpoczęciu produkcji układów NAND „klasy 20-nm”, jakie zostaną wykorzystane w kartach pamięci SD oraz rozwiązaniach pamięci wbudowanej. Samsung nie ujawnił jednak konkretnego procesu technologicznego zastosowanego do produkcji tych układów.

Z ogólnej analizy wynika, że na dzień dzisiejszy najbardziej zaawansowaną technologią procesu wytwarzania NAND dysponuje sojusz firm SanDisk i Toshiba, który zapowiedział uruchomienie produkcji układów pamięci NAND flash w procesie 24-nm w drugiej połowie 2010 r. Obie firmy posiadają wspólne zakłady produkcyjne układów NAND w Japonii.

Układy pamięci NAND flash wyprodukowane w technologii 20nm

Analitycy z Web-Feet Research oceniają, że ogólne wyrażenie „klasa 20-nm” może być nieco mylące, jeśli zawiera sugestię, że to właśnie koreański producent jest liderem procesu technologicznego produkcji układów NAND. „Klasa 20-nm” w przypadku Samsunga może faktycznie oznaczać technologię procesu 27-nm, w której układy wykonane przez koreańskiego producenta są obecnie testowane przez klientów.

Oznaczałoby to, że Samsung jest nie tyle liderem zaawansowania technologicznego i miniaturyzacji, ile zajmuje miejsce w kolejce za Hyniksem (26-nm), spółką joint venture pomiędzy Intelem a Micronem – IM Flash Technologies oraz SanDisk/Toshibą.

IM Flash Technologies z kolei jeszcze w styczniu prowadził jako lider zaawansowania w technologii produkcji NAND flash dzięki uruchomieniu produkcji urządzeń w procesie 25-nm. Zdaniem Web-Feet Research, najbardziej liczy się przede wszystkim data rozpoczęcia produkcji seryjnej układów, którą Samsung zaplanował na drugą połowę roku.

Tymczasem seryjną produkcję pamięci NAND już zaczął Micron w ramach wspólnego przedsięwzięcia z Intelem. W odpowiedzi na komunikat Samsunga Micron oświadczył, że „już rozpoczął seryjną produkcję [układów NAND 25-nm – przyp. red.] i, jak sądzi, jest pierwszym na świecie dostawcą, który ruszył z jakąkolwiek technologią procesu ‘klasy 20-nm’”.

 

World News 24h

wtorek, 19 września 2017 20:07

Intel’s CFO Bob Swan has a plan to double Intel’s market cap to $300 billion and double its eps from $2.21 to $4 by 2021, reports The Oregonian. Datacentre and memory are the areas which will propel this growth, according to Swan. The growth in market cap will also be driven by constant cost-cutting. The plan envisages that Intel’s datacentre business will grow 10% annually till 2021, its memory business will grow 33% annually and its IoT business will grow 13% annually. PC is expected to shrink 1% annually.

więcej na: www.electronicsweekly.com