wersja mobilna
Online: 2226 Czwartek, 2017.06.29

Biznes

10 czołowych producentów pamięć DRAM ukaranych przez Komisję Europejską

czwartek, 20 maja 2010 08:29

Komisja Europejska nałożyła karę grzywny na 10 czołowych firm z branży elektronicznej. W latach 1998-2002 producenci modułów pamięci DRAM przekazywali między sobą poufne informacje, dzięki którym mogli kształtować ceny rynkowe urządzeń.

Łączna kwota kary wyniosła 331 mln euro. Prawie połowę, bo aż 146 mln euro, będzie musiał zapłacić Samsung. W związku z tym, że wszystkie firmy przyznały się do winy, Komisja Europejska obniżyła wysokość grzywien o 10%.

Lista producentów pamięci DRAM ukaranych przez Komisję Europejską
Firma Kwota grzywny (mln euro)
Samsung 145,7
Infineon 56,7
Hynix 51,5
Hitachi 20,4
Toshiba 17,6
Mitsubishi 16,6
NEC 10,3
Elpida/NEC/Hitachi 8,5
Nanya 1,8
 

 

Szukaj w serwisie Semicon

World News 24h

czwartek, 29 czerwca 2017 16:02

Western Digital Corp. announced that it has successfully developed its next-generation 3D NAND technology, BiCS4, with 96 layers of vertical storage capability. Sampling to OEM customers is expected to commence in the second half of calendar year 2017 and initial production output is expected in calendar year 2018. BiCS4, which was developed jointly with Western Digital's technology and manufacturing partner Toshiba Corporation, will be initially deployed in a 256-gigabit chip and will subsequently ship in a range of capacities, including a terabit on a single chip.

więcej na: www.businesswire.com