wersja mobilna
Online: 672 Poniedziałek, 2017.10.23

Biznes

Samsung inwestuje w fabrykę w USA

piątek, 13 sierpnia 2010 12:48

W ramach zakrojonego na szeroką skalę planu inwestycyjnego, Samsung planuje rozbudowę kosztem 3,6 mld dol. fabryki półprzewodników w Austin w Teksasie bazującej na krzemie 300mm. Już w marcu br. południowokoreański gigant otworzył w Austin centrum badań i rozwoju, zajmujące się projektowaniem układów logicznych.

Rys. 1. Udziały rynkowe dostawców układów NAND Flash w I kw. 2010 r. wg iSuppli

W powiększonej teksańskiej fabryce rozpocznie się produkcja układów logicznych zgodnie z zapotrzebowaniem pionu Systemów LSI Samsunga. Koncern zapowiedział zatrudnienie w zakładach dodatkowych 500 pracowników. Szukając możliwości wyjścia poza rynek układów pamięci, Samsung usiłuje mocniej zaangażować się w wytwarzanie m.in. układów logicznych. Produkuje już matryce CMOS oraz układy SoC, z których wiele trafi a prosto do produktów konsumenckich sprzedawanych pod marką koncernu, np. telefonów komórkowych.

Projekty układów SoC Samsunga doczekały się m.in. intratnych zamówień, ze strony Apple, który wykorzystuje je w iPhone’ach i iPadach. Koreański producent rozpoczął także sprzedaż układów mocy. Swój pierwszy zakład produkcji układów scalonych w Austin, fabrykę pamięci DRAM operującą na płytkach 200mm, Samsung uruchomił w 1997 r. Trzy lata temu koncern otworzył w Austin 300mm fabrykę pamięci NAND Flash, a w 2009 zamknął zakład 200mm.

Obecna inwestycja ma na celu rozpoczęcie produkcji układów logicznych w technologii 45mm, a jej uruchomienie, w tym oddanie do użytku tzw. clean rooms, jest przewidywane na połowę przyszłego roku. Do 2011 r. zatrudnienie w zakładach w Austin ma się zwiększyć z 1000 pracowników do około 1500. We wszystkich swoich fabrykach półprzewodników w 2010 r. Samsung zamierza zatrudnić łącznie dziesięć tysięcy nowych pracowników, w tym 3000 przy produkcji układów cyfrowych, a 4000 przy wytwarzaniu LED.

Starając się zwiększyć obroty poza rynkami pamięci, koreański koncern, od lat niekwestionowany lider rynków DRAM i NAND, nie może jednak zapomnieć o trudnej rywalizacji z innymi dostawcami układów NAND Flash, którzy nieustannie rozwijają technologię i najnowsze rozwiązania. Według analityków bardziej zaawansowane technologie produkcji wypracowały sojusze SanDiska z Toshibą oraz Microna z Intelem, dysponujące technologiami odpowiednio 24nm.

Według iSuppli Toshiba i Micron szybciej zwiększają gęstość upakowania informacji w układach pamięci, przechodząc na technologię trzech bitów w komórce, a ich ofensywa w dostawach nowych układów już się rozpoczęła. W szczególności, w I kw. 2010 r. udział Toshiby w rynku NAND Flash w ujęciu kwartalnym zwiększył się o 2,9%, udział Microna o 0,2%, podczas gdy Samsung stracił w rynku 1,3%. (MT)

 

World News 24h

poniedziałek, 23 października 2017 10:03

United Renewable Energy hopes to recruit local solar wafer suppliers as additional shareholders, according to Sam Hong, chairman and CEO for Neo Solar Power and designated chairman for URE. URE will be formed by merging NSP, Gintech Energy and Solartech Energy. For the merger, Gintech will fully acquire Utech Solar, its joint-venture maker of solar poly-Si wafers, and put it under URE, Hong said. As URE will have annual solar cell production capacity of 5.0GWp and Utech currrently has only 500MWp in wafer production capacity, URE will seek to increase its in-house solar wafer supply by having more local suppliers invest in the new company, Hong explained

więcej na: www.digitimes.com