Ok APA - Automatyka Podzespoły Aplikacje Zamów nowe wydanie
Katalog Firm Katalog Produktów
Zobacz wszystkie

Kategorie

Tranzystor MOSFET 650V/17A w obudowie o grubości 1mm

Produkt firmy:

STMicroelectronics SA oddział w Polsce

Kategoria produktu: Podzespoły półprzewodnikowe

Firma STMicroelectronics przełamuje barierę gęstości mocy tranzystorów MOSFET, wprowadzając do oferty pierwszy tranzystor zamykany w obudowie PowerFLAT 8x8 HV o grubości zaledwie 1mm. Model STL21N65M5 został wykonany w technologii MDmesh V.

Jest zamykany w obudowie o powierzchni 8 x 8mm i grubości 1mm, wyposażonej w \"okno\" radiatora skutecznie odprowadzające ciepło wygenerowane w strukturze. Nowy standard obudowy jest obecnie stosowany obok STMicroelectronics także przez firmę Infineon Technologies (ozn. ThinPAK 8x8).

Tranzystor STL21N65M5 charakteryzuje się napięciem RDS(on) równym 0,19Ω, rezystancją termiczną złącze-obudowa (Rthj-c) 1,0 °C/W, napięciem przebicia 650V i dopuszczalnym prądem drenu 17A.

Zapytania ofertowe
Tranzystor MOSFET 650V/17A w obudowie o grubości 1mm
Zapytanie ofertowe
Zapytanie ofertowe
Dotyczy produktu
Tranzystor MOSFET 650V/17A w obudowie o grubości 1mm
Firma: STMicroelectronics SA oddział w Polsce
Kategoria: Podzespoły półprzewodnikowe
Treść zapytania *
Imię i nazwisko *
Nazwa firmy
Adres firmy
Kod pocztowy
Miasto
E-mail *
Telefon
Usługa przesyłania zapytań ofertowych jest bezpłatna i nie rodzi żadnego zobowiązania po stronie zadającego pytanie. Administratorem danych osobowych jest AVT-Korporacja sp. z o.o. z siedzibą: ul. Leszczynowa 11, 03-197 Warszawa. Celem przetwarzania danych jest realizacja usługi i jest ograniczone czasowo do jej wykonania. Podstawa prawna: art. 5, 6, 12, 13 Ogólnego rozporządzenia o ochronie danych osobowych (RODO).