wersja mobilna
Online: 642 Poniedziałek, 2016.12.05
W katalogu znajduje się: 1254 firm i 7719 produktów
Tranzystory i diody w nowych obudowach SOT1061 i SOT1118 o wymiarach 2 x 2 x 0,65mm

Tranzystory i diody w nowych obudowach SOT1061 i SOT1118 o wymiarach 2 x 2 x 0,65mm

Złóż ofertę

NXP Semiconductors wprowadza na rynek pierwsze tranzystory i diody zamykane w nowych typach miniaturowych obudów SMD: 3-elektrodowej SOT1061 i 6-elektrodowej SOT1118. 

Są to obudowy plastikowe o powierzchni montażowej 2,0 x 2,0mm i grubości 0,65mm, zawierające wyprowadzenie radiatora zapewniające bardzo dobrą przewodność elektryczną i cieplną. Pod względem parametrów termicznych są zbliżone do obudów o dwukrotnie większej powierzchni, takich jak np. SOT89 (SC-62).

Obecnie oferta podzespołów NXP produkowanych w nowych typach obudów obejmuje 26 tranzystorów FET, p-MOS, bipolarnych o małym napięciu nasycenia i diod prostowniczych Schottky'ego. Wszystkie wykazują maksymalną moc rozpraszaną poniżej 2,1W.

1) Tranzystory FET i podwójne p-MOS produkowane w obudowach SOT1118:

  • dwa tranzystory FET 20V/3A z wbudowaną diodą Schottky'ego o małym napięciu VF (PMFPB6532UP, PMFPB6545UP) i podwójny p-kanałowy MOSFET (PMDPB65UP),
  • zabezpieczenie ESD do 1kV (HBM),
  • rezystancja drenu 70mΩ@4,5V,
  • VF od 365mV (520mV@1A).

2) Tranzystory bipolarne serii PBSSxPA produkowane w obudowach SOT1061:

  • napięcie nasycenia VCE(sat) od 200mV@6A (ekwiwalentny RCE(sat) równy 33mΩ),
  • napięcia znamionowe od 12 do 100V,
  • szczytowy prąd kolektora ICM do 7A,

3) Diody prostownicze Schottky'ego serii PMEGxEPA w obudowach SOT1061:

  • duży prąd przewodzenia (do 2A) przy małej wartości VF,
  • kwalifikacja AEC-Q101,
  • zakres napięć wstecznych od 20 do 60V.
Więcej na www.nxp.com

Kategorie produktu

Podzespoły dla elektroniki i automatyki » Podzespoły półprzewodnikowe »

Zobacz podobne produkty

IVCE-8784
Przetwornice DC-DC serii Micro SIP
Wzmacniacz audio R2J15116FP
Układ kondycjonowania sygnałów AD8275
N-kanałowe tranzystory MOSFET
Wzmacniacz pomiarowy PGA308
Tranzystory Si7633DP
Przetworniki częstotliwość-sygnał UFDC-1
Wysokonapięciowe tranzystory MOSFET
Wielokanałowe filtry AOZ803x
Transceivery MAX13234E-MAX13237E
Miniaturowe odbiorniki IR TSOP75xxx
Sterowniki FAN31xx i FAN32xx
Transceivery MAX13234E-MAX13237E
Diody TSOP75xxx
Sterownik diod LED AHK3292
Wysokonapięciowy regulator LTM4609
Przełączniki sygnałów audio i danych ISL54210 i ISL54211
Kontrolery bezprzewodowego USB S3CR650
Stereofoniczny wzmacniacz audio klasy D CS3511
Kondensatory MLCC serii GJ8
7-portowy koncentrator USB USB2517
Wzmacniacz programowalny AD8264
Sterownik diod LED CAT4106
Tranzystor MOSFET ZXMS6004FF
Rezonator 32kHz SG-3050BC
Energooszczędny mikroprocesor ARM Cortex-M0
8, 16 i 32-bitowe mikrokontrolery do systemów przemysłowych
uBlox - Moduł GSM LEON
Energooszczędny odbiornik typu wake-up AS3932
8-wyjściowy oscylator zegarowy LTC6909
Wzmacniacze operacyjne ADA4817-1 i ADA4817-2
Cewki serii 1100R i 1300R
Miniaturowe odbiorniki IR TSOP75xxx
Tranzystor TrenchFET Si8422DB
Dwukierunkowe zabezpieczenie nadnapięciowe-nadprądowe NCP370
Szybkie przełączniki sygnałów audio ISL54210 i ISL54211
Sterowniki bramek tranzystorów MOSFET FAN31xx
Impulsowy regulator napięcia MIC22700
Tranzystory MOSFET NP110N04PUJ i NP110N055PUJ
Generator częstotliwości PL611S-18
16-bitowy mikrokontroler MAXQ610
Mikrokontrolery serii V850ES_JJ3-E i V850ES_JH3-E
Mikrofalowe wzmacniacze mocy MGA-xxxx40-02
Moduły radiowe ZigBee PAN4561 i PAN4566
Kontrolery bezprzewodowego USB S3CR650
Procesor pasma podstawowego WiMAX MB86K23
Bufory PECL rodziny SN65
Filtry EMC z serii B84771A, B84771C oraz B84771M
Wzmacniacze różnicowe TSH45xx
Miniaturowe przełączniki SP3T ISL54214 i ISL54217
Wzmacniacz różnicowy AS1713
Interfejs smart-card DS8023
Komparatory serii MCP656x
Mikrokontrolery ATtiny10
Niskonapięciowe oscylatory serii F200
Termistory PTC B59050D1100B040
Dioda RGB LCD EHP-B02
Wysokotemperaturowe rezystory current-sense 14AFR
Mikrokontrolery nanoWatt PIC24F16KA