Rohm otworzy w Chinach laboratorium elektroniki samochodowej

Rohm wskazuje, że centrum badawcze będzie skoncentrowane na modułach zasilania pojazdu i falownikach wykorzystujących układy MOSFET SiC i izolowane sterowniki bramek. To da firmom możliwość przyspieszenia rozwoju w zakresie rozwiązań elektroenergetycznych.

- Zastosowanie modułów mocy integrujących układy SiC w nowych pojazdach zeroemisyjnych stanie się trendem w branży w ciągu najbliższych kilku lat. Wprowadzenie na rynek urządzeń wyposażonych w chipy SiC poprzez gromadzenie zasobów z całego świata i prowadzenie badań i rozwoju daje nam przewagę konkurencyjną jako bezpośredniego dostawcy podzespołów motoryzacyjnych - powiedział dr Jie Shen, dyrektor generalny Leadrive.

Urządzenia zasilające oparte o SiC są coraz częściej stosowane we wbudowanych systemach ładowarek samochodowych i przetwornicach DC/DC. Rozwiązanie to zapewnia szereg korzyści w porównaniu z układami bazującymi na krzemie, takimi jak IGBT. Jedną z głównych zalet chipów SiC są znacznie niższe straty podczas przełączania i przewodzenia, a także możliwość pracy w wyższej temperaturze.