Seria MOSFETów 650 V z wewnętrzną szybką diodą zabezpieczającą

Vishay włącza do oferty nową serię n-kanałowych tranzystorów MOSFET 650 V EF z wewnętrzną szybką diodą zabezpieczającą, stanowiących uzupełnienie wcześniejszej oferty tranzystorów 600-woltowych. Nowe modele 650 V mogą zapewnić dodatkowy margines bezpieczeństwa w układach impulsowych stosowanych w przemyśle, telekomunikacji i systemach korzystających ze źródeł energii odnawialnej.

Są produkowane w technologii superzłączowej i wyposażone w wewnętrzną diodę o 10-krotnie mniejszym ładunku przełączania Qrr od standardowych tranzystorów MOSFET.

Pozwala to znacznie szybciej blokować napięcie przebicia oraz łatwiej unikać sytuacji potencjalnie niebezpiecznych (np. shoot-through) czy przegrzania, zapewniając większe bezpieczeństwo pracy układów zasilania. Nowa oferta obejmuje tranzystory o dopuszczalnym prądzie przewodzenia od 21 do 33 A i rezystancji kanału od 95 mΩ.