600- i 650-woltowe tranzystory MOSFET w obudowach PowerPAK SO-8L
Firma Vishay wprowadza do oferty trzy nowe tranzystory MOSFET zamykane w obudowach PowerPAK SO-8L, charakteryzujące się większą niezawodnością i mniejszą indukcyjnością obudowy od wcześniejszych wersji.
SiHJ8N60E (600 V/8 A), SiHJ6N65E (650 V/5,6 A) i SiHJ7N65E (650 V/7,9 A) to tranzystory n-kanałowe stanowiące alternatywę dla tranzystorów zamykanych w obudowach TO-252 (DPAK), powszechnie stosowanych w aplikacjach oświetleniowych, komputerowych i konsumenckich.
W porównaniu z nimi charakteryzują się mniejszą o połowę powierzchnią montażową i mniejszą o połowę wysokością obudowy. Z kolei, w porównaniu z tranzystorami w obudowach DFN są bardziej stabilne mechanicznie przy zmianach temperatury w długim okresie czasu.
Zastosowanie technologii superzłączowej pozwoliło uzyskać małą rezystancję RDS(on) wynoszącą od 0,52 Ω @ 10 V i mały ładunek bramki od 16 nC, co w konsekwencji zapewnia małe straty przy pracy impulsowej.
| Oznaczenie | VDS | VGS | ID @ +25°C | RDS(ON) @ 10 V (maks.) | Qg @ 10 V (typ.) |
| SiHJ8N60E | 600 V | ±30 V | 8,0 A | 0,520 Ω | 22 nC |
| SiHJ6N65E | 650 V | ±30 V | 5,6 A | 0,868 Ω | 16 nC |
| SiHJ7N65E | 650 V | ±30 V | 7,9 A | 0,598 Ω | 22 nC |
