160-amperowy MOSFET dla motoryzacji w obudowie D2Pak o obniżonej rezystancji wewnętrznej

Do oferty firmy Toshiba wchodzi nowy 40-woltowy tranzystor MOSFET o oznaczeniu TK1R5R04PB, zaprojektowany do zastosowań w elektronice samochodowej. Charakteryzuje się on dopuszczalnym prądem drenu równym 160 A.

Jest zamykany w obudowie D²Pak+ o rozmiarach standardowych obudów D²Pak (lub TO-263), pozwalającej zapewnić bardzo małą rezystancję wewnętrzną dzięki znacznie szerszej elektrodzie źródła.

Rezystancja R_DS(on) w przypadku tego modelu wynosi 1,5 mΩ przy V_GS=10 V, a minimalna i maksymalna wartość napięcia progowego (V_th) odpowiednio 2 i 3 V. TK1R5R04PB uzyskał kwalifikację AEC-Q101.