700-woltowe tranzystory CoolMOS P7 do quasi-rezonansowych przetwornic zaporowych

Infineon Technologies AG rozszerza ofertę małostratnych tranzystorów MOSFET do przetwornic DC-DC o nową serię 700-woltowych tranzystorów CoolMOS P7 zaprojektowanych do quasi-rezonansowych przetwornic o topologii zaporowej. Oferują one istotną poprawę parametrów elektrycznych w porównaniu z używanymi obecnie tranzystorami superzłączowymi z oferty innych producentów, w tym niższą temperaturę pracy i mniejsze o 2...5% straty na przełączanie (EOSS), pozwalające zapewnić większą nawet do 3,9% sprawność energetyczną w przetwornicy docelowej.

Tranzystory CoolMOS P7 charakteryzują się krótkimi czasami przełączania i dużą gęstością mocy. Są polecane do zastosowań w zasilaczach soft-switching sterujących pracą ładowarek do smartfonów i tabletów. Zawierają wbudowane diody Zenera zwiększające odporność na wyładowania ESD.

Dodatkową zaletą jest niskie napięcie progowe VGSth równe 3 V i wąski przedział tolerancji (±0,5 V). Cechy te ułatwiają projektowanie przetwornic i pozwalają na stosowanie niższych napięć bramki ułatwiających sterowanie tranzystora i zmniejszających straty w trybie idle.

Tranzystory CoolMOS P7 występują obecnie w kilkunastu wersjach produkowanych w trzech typach obudów: TO-220 FullPAK, TO-252 DPAK i TO-251 IPAK Short Lead. Ich zakres rezystancji R_DS(on) wynosi od 360 do 1400 mΩ. Zabezpieczenie ESD w zależności od wersji jest na poziomie od 1 do 4 kV HBM.