900-woltowe MOSFETy do realizacji przetwornic zaporowych DC-DC o bardzo dużej sprawności

Nowe superzłączowe tranzystory MOSFET MDmesh K5 firmy STMicroelectronics dają projektantom układów zasilania możliwość uzyskania większej mocy wyjściowej i sprawności przy mniejszych gabarytach podzespołów. Duże napięcie przebicia, równe 900 V zapewnia dodatkowy margines bezpieczeństwa w systemach wysokonapięciowych, a rezystancja R_DS(on) poniżej 100 mΩ jest najmniejsza spośród wszystkich dostępnych obecnie na rynku tranzystorów w obudowach DPak.

Ponadto, bardzo mały ładunek bramki zapewnia krótkie czasy przełączania i większą elastyczność w projektowaniu. Tranzystory MDmesh K5 są adresowane do wszystkich typów przetwornic zaporowych o mocy od 35 do ponad 200 W.

Ich małe pojemności wejściowe i wyjściowe (Ciss, Coss) umożliwiają realizację przełączników ZVS o minimalnych stratach mocy w półmostkowych rezonansowych przetwornicach LLC stosowanych w układach zasilania serwerów, 3-fazowych zasilaczach impulsowych, systemach oświetleniowych z diodami LED, systemach fotowoltaicznych, spawarkach i układach napędowych.

Cena hurtowa przykładowego modelu STD4N90K5 (900 V, 3 A, 2,1 Ω, 60 W) wynosi 0,75 USD przy zamówieniach 1000 sztuk.