Pamięć Universal Flash Storage (UFS) Ver. 3.1 o pojemności 512 GB produkowana w technologii QLC
Toshiba Corporation
Kioxia Europe GmbH opracowała pamięć Universal Flash Storage (UFS) Ver. 3.1 produkowaną w innowacyjnej technologii QLC (quad-level-cell) z 4 bitami zapisywanymi w pojedynczej komórce pamięci. W aplikacjach wymagających największej gęstości danych, takich jak nowoczesne smartfony, technologia ta pozwala na osiągnięcie największej pojemności w jednym układzie scalonym.
Prototypowy 512-gigabajtowy układ UFS proof of concept (PoC) został zrealizowany na bazie pamięci BiCS FLASH 3D firmy Kioxia o pojemności 1 terabita (128 GB). Obecnie jego wersje próbne są dostarczane wybranym producentom OEM.