Ok APA - Automatyka Podzespoły Aplikacje Zamów nowe wydanie
Katalog Firm Katalog Produktów
Zobacz wszystkie

Kategorie

Podzespoły energoelektroniczne

Zapytania ofertowe
Złóż zapytanie ofertowe w tej kategorii
Zapytanie ofertowe
Sterowniki bramek do podwójnych modułów IGBT o napięciu pracy do 3300 V
STMicroelectronics SA oddział w Polsce Nowe układy mocy rodziny MasterGaN do zastosowań w energooszczędnych przetwornicach DC-DC
Moduły o dużej gęstości mocy SEMITOP E1/E2 z 1200-woltowymi tranzystorami SiC MOSFET
Czujnik prądu o zakresie do >4000 A niewymagający współpracy z rdzeniem ani ekranem magnetycznym
Samochodowe czujniki prądu 200...2000 A z wbudowanym detektorem nadprądowym
Conrad Electronic Sp. z o.o. Nowy ogranicznik przepięć FLT-SEC-ZP2 typu 1+2+3 Phoenix Contact
Infineon Technologies Polska Sp. z o.o. Tranzystory IGBT TRENCHSTOP 5 WR6 w obudowach TO-247-3-HCC o zwiększonym napięciu izolacji
80- i 200-woltowe tranzystory eGaN FET na rynek e-Mobility
Rohm Nowe hybrydowe tranzystory IGBT 650 V z wbudowaną diodą SiC
Płytka demonstracyjna zintegrowanego modułu mocy GaN 400 W do sterowania silników BLDC
1200-woltowe moduły SiC MOSFET half-bridge do systemów ładowania pojazdów elektrycznych
Niskoprofilowe transile SMT o dopuszczalnej mocy szczytowej 15 kW (10/1000 μs)
Dacpol Sp. z o.o. Tranzystory SiC MOSFET
Infineon Technologies Polska Sp. z o.o. Półmostkowe moduły mocy EasyDUAL CoolSiC oparte na podłożach z ceramiki z azotku glinu
Tranzystory GaN FET 650 V do zasilaczy impulsowych klasy 80 PLUS Titanium o mocy >2 kW
Rohm Moduły IPM 600 V o dużej sprawności i małym poziomie zaburzeń elektromagnetycznych
Infineon Technologies Polska Sp. z o.o. Moduł mocy 1200 V z tranzystorami CoolSiC i IGBT7 do systemów solarnych i gromadzenia energii
Infineon Technologies Polska Sp. z o.o. Dyskowe diody spawalnicze o małych stratach i dużym prądzie przewodzenia
Vishay Intertechnology, Inc. Zintegrowane stopnie mocy VRPower DrMOS o wydajności prądowej do 100 A
Toshiba Corporation Przemysłowy moduł SiC MOSFET o dużej sprawności i małych gabarytach
Tranzystory SiC MOSFET o napięciach przebicia 3300 V i 1700 V do systemów fotowoltaicznych
Podwójne moduły IGBT dużej mocy 600 A/10 kV rms dla energetyki i transportu szynowego
Infineon Technologies Polska Sp. z o.o. 3-fazowy 1200-woltowy sterownik bramek tranzystorów IGBT do napędów przemysłowych
Infineon Technologies AG Nowy moduł mocy IGBT do falowników samochodowych modułów trakcyjnych
Wielofazowy kontroler i 70-amperowy stopień mocy do zasilania układów FPGA, ASIC i SoC
Microchip Wieloelementowe transile 3 kW do pracy w ciężkich warunkach środowiskowych
Konwertery DC-DC o ultraszerokim zakresie napięcia wejściowego 12:1
Infineon Technologies AG 1700-woltowe tranzystory CoolSiC MOSFET do układów zasilania
750-watowy regulowany konwerter DC-DC z wyjściem 12 V o sprawności 97%
Złącza samochodowe MiniBridge w wersji jednorzędowej zawierającej od 2 do 20 kanałów
Zapytanie ofertowe
Dotyczy kategorii
Podzespoły energoelektroniczne
Treść zapytania *
Imię i nazwisko *
Nazwa firmy
Adres firmy
Kod pocztowy
Miasto
E-mail *
Telefon
Usługa przesyłania zapytań ofertowych jest bezpłatna i nie rodzi żadnego zobowiązania po stronie zadającego pytanie. Administratorem danych osobowych jest AVT-Korporacja sp. z o.o. z siedzibą: ul. Leszczynowa 11, 03-197 Warszawa. Celem przetwarzania danych jest realizacja usługi i jest ograniczone czasowo do jej wykonania. Podstawa prawna: art. 5, 6, 12, 13 Ogólnego rozporządzenia o ochronie danych osobowych (RODO).