Energooszczędne izolatory iSSI do sterowania tranzystorów OptiMOS, CoolMOS i FET

Na konferencji APC (Applied Power Electronics Conference) firma Infineon zaprezentowała nową rodzinę półprzewodnikowych izolatorów galwanicznych iSSI (Solid-State Isolator), których przewagą nad izolatorami optycznymi SSR jest większa szybkość przełączania oraz wbudowane mechanizmy zabezpieczenia nadprądowego i termicznego. Zastosowana tu technika transformatora bezrdzeniowego (CT), umożliwia transmisję sygnałów o nawet 20-krotnie większej mocy i nie wymaga oddzielnego źródła do zasilania stopnia wyjściowego.

Izolatory iSSI umożliwiają sterowanie bramek produkowanych przez Infineon tranzystorów m.in. OptiMOS, CoolMOS S7 i TrenchStop IGBT, pozwalając zredukować nawet o 70% pobór mocy w porównaniu z przekaźnikami półprzewodnikowymi SCR i przełącznikami opartymi na triakach. Charakteryzują się napięciem wyjściowym do 18 V, prądem wyjściowym do 85 μA (wersje direct drive) i 400 mA (wersje buforowane) oraz izolacją do 5,7 kV rms. Pozwalają projektantom na tworzenie własnych przekaźników półprzewodnikowych o maksymalnym napięciu i prądzie przełączanym do 1000 V i 100 A, znajdujących zastosowanie w systemach energii odnawialnej, zarządzania akumulatorami, gromadzenia energii oraz automatyki budynków.