n-kanałowy tranzystor MOSFET 600 V o rezystancji RDS(ON) równej 55 mΩ
Toshiba Electronics wprowadza na rynek nową serię n-kanałowych, superzłączowych tranzystorów MOSFET DTMOSVI o napięciu znamionowym 600 V, pozwalających zmniejszyć straty mocy w zasilaczach impulsowych. Pierwszy, dostępny już w sprzedaży model TK055U60Z1, charakteryzuje się bardzo małą rezystancją RDS(ON), wynoszącą maksymalnie 55 mΩ przy VGS=10 V. Jest ona mniejsza o 13% niż w przypadku podobnych tranzystorów wcześniejszej serii DTMOSIV-H. Ponadto, zredukowany o ponad połowę iloczyn RDS(ON) x Qgd zapewnia bardzo małe straty przy pracy impulsowej.
TK055U60Z1 może pracować przy maksymalnej temperaturze kanału +150°C. Charakteryzuje się małymi ładunkami Qg i Qgd (odpowiednio 65 nC i 15 nC) oraz małą pojemnością CISS (3680 pF), co pozwala na pracę z dużą częstotliwością przełączania. Jest zamykany w obudowie TOLL z podwójnym wyprowadzeniem źródła, pozwalającym zredukować indukcyjność pasożytniczą i oscylacje. Konstrukcja wyprowadzeń zwiększa niezawodność montażu i ułatwia kontrolę wzrokową połączeń.
