wersja mobilna
Online: 527 Środa, 2016.12.07

Biznes

Intel z Micronem przechodzą do procesu 25nm

czwartek, 05 sierpnia 2010 08:36

Rozpoczęcie produkcji 8-gigabajtowych pamięci MLC (Multi-Level Cell) w technologii 25nm wysuwa joint venture Intela i Microna (IM Flash) ponownie na pozycję lidera w zaawansowaniu procesu technologicznego NAND Flash. Sukces przychodzi we właściwym czasie, gdyż poprawie ulega koniunktura na rynku.

Tym samym tandem Intel-Micron wyprzedza spółkę San Disk-Toshiba oraz Samsunga, które ogłosiły start produkcji układów NAND w procesach 32nm i 30nm. Z kolei Hynix Semiconductor przygotowuje się do wdrożenia technologii 26nm.

Nowe pamięci będą najpierw powstawały w fabryce w Utah na 300-milimetrowych podłożach, po czym ich produkcja zostanie przeniesiona do fabryki Microna w Manassas w stanie Wirginia. Wciąż nierozwiązaną kwestią jest termin wznowienia pracy fabryki IM Flash w Singapurze. Część analityków przewiduje, że stanie się to w roku 2011.

Szczegóły układu

Najnowszy układ NAND ma powierzchnię 167mm2, wykonany jest w technologii 25nm i zamknięty w małej, standardowej obudowie. Zapewnia obecnie największą gęstość dostępną dla pojedynczego układu MLC, zdolnego zapisywać 2 bity w jednej komórce.

W celu zwiększenia całkowitej pojemności możliwe jest łączenie wielu 8-gigabajtowych układów. Oznacza to, że dysk SSD o pojemności 256 GB wymaga 32 takich układów (poprzednio 64), 32-gigabajtowy smartphone jedynie czterech, a 16-gigabajtowa pamięć Flash - dwóch. Kierownictwo joint venture twierdzi, że produkcja masowa w technologii 25nm wysuwa Intela i Microna na prowadzenie w zakresie technologii procesowej NAND. Jednak niechętnie wypowiadają się o tym, w jaki sposób uzyskanie tak małego wymiaru technologicznego było możliwe.

Teoretyczną granicą dla dzisiejszych skanerów immersyjnych wykorzystujących światło o długości fali 193nm jest wymiar 35nm. Analitycy spekulują, że IM Flash był jednak w stanie za pomocą dzisiejszej litografii immersyjnej wytworzyć pamięci NAND w procesie 25nm, dzięki wykorzystaniu technologii SADP (Self- Aligned Double Patterning) oraz szeregu sztuczek z przesuwaniem fazy promieniowania. SADP jest technologią do wyboru w przypadku NAND, adaptowaną przez wszystkie firmy w procesie 32nm.

Większość głównych producentów NAND preferuje wykorzystanie SADP również w rozwijanych dopiero procesach 22nm. Według przedstawicieli Intela, technologia 25nm przyspieszy adaptację napędów SSD (Solid-State Drives) w przemyśle informatycznym i może także przyspieszyć pojawienie się na rynku tańszych komputerów PC typu tablet.

Właściwy moment

Nowa pamięć pojawiła się w odpowiednim momencie, gdyż poprawie ulega koniunktura na rynku NAND. Według analiz Gartnera, ceny w drugim kwartale 2010 roku mają nieco spaść, po stabilizacji na początku roku, a w drugiej połowie przewiduje się znaczny spadek zapasów NAND. Według IC Insights, światowy rynek NAND osiągnie w tym roku poziom 18,8 mld dol., notując wzrost z 15,4 mld dol. w roku 2009.

Znów na czele

Aż do połowy 2009 roku joint venture Intela i Microna prowadziło w wyścigu minimalizacji wymiaru technologicznego pamięci NAND, oferując produkty wykonane w procesie 34nm. W kwietniu 2009 roku Toshiba rozpoczęła produkcję układów 32nm. W sierpniu Intel i Micron ogłosili start produkcji 34-nanometrowej pamięci MLC NAND będącej ich pierwszym układem zapisującym 3 bity w komórce logicznej (X3). Kilka miesięcy później Samsung ogłosił rozpoczęcie masowej produkcji pamięci MLC NAND Flash X3 wykonanych w procesie 30nm.

Południowokoreański Hynix ma w swojej ofercie układy NAND wykonane w procesie 41nm, jednak w niedawnym raporcie finansowym spółka podzieliła optymizm branży i nakreśliła strategię, polegającą na agresywnym przejściu do procesu 32nm oraz dalej w kierunku 26nm. Według analiz iSuppli, Samsung pozostaje liderem pod względem udziału w rynku NAND Flash, jednak w siłę rośnie Toshiba, a na kolejnych miejscach plasują się Hynix, Micron, Intel oraz Numonyx.

Przyszłość rynku pamięci

Analizy Web-Feet Research pokazują, że rynek pamięci od początku roku 2010 powoli odrabia straty, nawet mimo doświadczeń kryzysu przypominających o negatywnych konsekwencjach nadmiernego optymizmu. Analitycy prognozują, że rynek Flash czeka radykalna zmiana ilości zapasów w proporcji do popytu, co będzie znacznie faworyzować dostawców układów. Popyt na pamięci Flash wciąż rośnie, jednak spadły inwestycje na tym rynku.

Według danych firm, w 2009 roku na inwestycje przeznaczono 3,5 mld dol., co oznacza spadek o 68% w stosunku do roku 2008. Według IC Insights, wydatki inwestycyjne na rynku Flash, mimo prawie podwojenia w roku 2010, wciąż będą znajdować się poniżej poziomu koniecznego do zaspokojenia globalnego popytu. Ponieważ zapotrzebowanie na pamięci rośnie, a nie ma w planach nowych fabryk czy unowocześnień, w najbliższych latach można spodziewać się wzrostu cen, co może być kłopotliwe dla firm OEM, ale korzystne dla dostawców Flash.

Grzegorz Michałowski

 

World News 24h

środa, 07 grudnia 2016 07:55

The United States Supreme Court threw out a lower court’s $399 million judgment against Samsung for violating patents involving Apple’s iPhone. The decision overturns what had been a victory that Apple had won in the Washington, D.C. based U.S. Federal Circuit Court of Appeals. The case will now go back to that court for any further proceedings, including determining what, if any, lower penalties Samsung may have to pay Apple.

więcej na: www.siliconvalley.com