wersja mobilna
Online: 824 Sobota, 2017.06.24

Biznes

Samsung zbuduje dużą fabrykę pamięci NAND flash w Chinach

wtorek, 17 stycznia 2012 10:19

Samsung Electronics otrzymał zezwolenie od południowokoreańskiego Ministerstwa Wiedzy i Gospodarki na budowę fabryki pamięci NAND flash w Chinach, przy założeniu, że ministerstwo zapewni wsparcie i zabezpieczenie przed wyciekiem strategicznych technologii. Samsung planuje wydać na nową fabrykę NAND flash około 4 mld dol. i chce ją uruchomić w II poł. 2013 r.

Fabryka ma operować na płytkach o wymiarze 300mm z wykorzystaniem procesu klasy 20nm. Zakładana produkcja to 100 tysięcy płytek miesięcznie, a więc dokładnie połowa docelowej wydajności nowej fabryki NAND flash Samsunga Line-16 w Korei Południowej, w której produkcję o skali 10 tysięcy płytek miesięcznie firma rozpoczęła we wrześniu 2011 r.

Marcin Tronowicz

 

 

Szukaj w serwisie Semicon

World News 24h

sobota, 24 czerwca 2017 07:58

A flavor of resistive RAM (ReRAM) has overcome a significant hurdle that has it nipping at DRAM's heels. 4DS Memory Limited recently announced that architectural changes to its patented Interface Switching ReRAM have improved read access so dramatically that it is now comparable to DRAM. In a telephone interview with EE Times, company CEO and Managing Director Guido Arnout said the development places the company in a hallway with a lot of doors it could potentially walk through.

więcej na: www.eetimes.com