wersja mobilna
Online: 475 Środa, 2016.09.28

Biznes

Intel wkracza do Chin

sobota, 11 sierpnia 2007 12:58

Po latach spekulacji przedstawiciele firmy Intel potwierdzili, że mają zamiar wybudować w Chinach warty 2,5 miliarda dolarów zakład produkujący płytki półprzewodnikowe o średnicy 12 cali (300 mm).

Dyrektor generalny Intela Paul Otellini wygłosił oświadczenie w Pekinie, w którym podkreślał fakt, że ze względów politycznych zdecydowano o lokalizacji zakładów w mieście Dalian. Miasto to znajduje się na chińskiej liście lokalizacji, których rynek i gospodarkę tamtejszy rząd chciałby silnie ożywić.

Chiny są dla Intela drugim pod względem wielkości rynkiem zbytu. Mając w tym kraju nowoczesną fabrykę, obniżone zostaną koszty własne produkcji sprzętu wykorzystującego układy scalone Intela. Tymczasem dla Stanów Zjednoczonych wiadomość ta to pewnego rodzaju szok, gdyż w ostatnim czasie obserwowana jest narastająca migracja fabryk przemysłu półprzewodnikowego za ocean.

Decyzja o budowie przez Intela w Chinach fabryki płytek półprzewodnikowych jest sprawą delikatną politycznie. Sygnalizuje ona poluzowanie przepisów regulujących amerykański eksport, dając dzięki temu producentom sprzętu w USA powód do optymizmu w zakresie wzrostu sprzedaży do Chin. Dodatkowo Intel występuje ze swą inicjatywą w momencie, w którym polityka eksportowa USA nie jest zbytnio uporządkowana.

Budowana w Chinach fabryka będzie nosić nazwę Fab68 i będzie to pierwsza fabryka koncernu w Azji. Produkcja ma ruszyć w drugiej połowie 2010 roku.

Jedynym sposobem na pozyskanie poparcia rządu amerykańskiego dla tej transakcji było zapewnienie, że nie będzie to spółka joint venture. Fabryka w całości będzie własnością Intela. Obecnie projekt został zatwierdzony przez rząd USA z licencją na produkcję układów półprzewodnikowych na płytkach o średnicy 30cm i wytwarzanych w procesach technologicznych o wymiarze charakterystycznym równym 90nm. Wstępnie produkowane z nich mają być chipsety dla sztandarowych mikroprocesorów Intela, zarówno na eksport jak i do użytku lokalnego. Ale do 2010 roku Intel będzie w posiadaniu technologii 32nm, więc jeśli Waszyngton pozwoli, to Fab68 mogłaby przejść na technologię 65nm.

Fab68 nie będzie najbardziej nowoczesnym zakładem i prawdopodobnie wyposażona zostanie w maszyny z drugiego obiegu, co wynika poniekąd ze względu na restrykcyjne przepisy regulujące transfer technologii poza obszar Stanów Zjednoczonych. Niemniej nie rozwiązuje to problemu bezpieczeństwa własności intelektualnej Intela.

Tabela. Fabryki półprzewodników w Chinach
DalianProponowana lokalizacja nowej fabryki Intela opartej o 30-cm krzem i proces 90nm
WuxiWspólna fabryka Hynix i ST. Oparta o 8/12 calowy krzem i proces 90 i 110nm. Zajmuje się produkcją pamięci DRAM i Flash
PekinFabryka SMIC oparta o 12-calowy krzem, technologię 90nm, produkcja pamięci DRAM
WuhanFabryka SMIC oparta o 12-calowy krzem, technologię 70nm, produkcja pamięci DRAM zostanie uruchomiona jeszcze w tym roku.
SzanghajFarbyka SMIC. 12-calowy krzem, procesy 90nm i 65nm
Jak zareaguje konkurencja?

Plany Intela w zakresie budowy fabryki chipsetów w Chinach mogą być także wstępem do większych projektów. Ogromny rynek eksportowy Chin i rosnąca konsumpcja wewnętrzna sprawiły, że jest to drugi co do wielkości rynek mikroprocesorowy dla firmy. Chińskie rynki telefonów komórkowych i elektroniki powszechnego użytku są głównymi odbiorcami pamięci Flash typu NAND i NOR, co sprawia, że sensowne jest ulokowanie przyszłej produkcji właśnie tam.

Jeden z analityków firmy Insights stwierdził, że większość produkcji przeniesie się tam gdzie jest na nią zapotrzebowanie, lecz nie jest on pewny czy inne firmy również wybudują w Chinach swoje fabryki. Niemniej może to być pierwsza z wielu fabryk półprzewodników w Chinach. Pierwszymi kandydatami, którzy potencjalnie pójdą śladem Intela są Samsung, Toshiba i prawdopodobnie AMD. Jednak, aby w Chinach można było wybudować fabrykę półprzewodników z wiodącą technologią, musi tam nastąpić drastyczna zmiana w polityce rządu dotyczącej własności intelektualnej.

Informacje o planowanej fabryce półprzewodników poprzedziła zapowiedź Intela i producenta pamięci Micron Technology, którzy donosili o budowie supernowoczesnej fabryki pamięci w Singapurze jako części ich przedsięwzięcia joint venture o nazwie IM Flash Technologies LLC. Intel ma także fabryki półprzewodników w Irlandii (Leixlip) oraz w Izraelu (Jerozolima i Kiryal Gat). W budowie jest nowa fabryka w Izraelu. Tymczasem główne fabryki koncernu ulokowane są w Arizonie, Nowym Meksyku, Oregonie i w Irlandii.

Dotychczas to inne firmy wykazały, że możliwe jest wybudowanie zaawansowanych fabryk układów półprzewodnikowych w Chinach. Semiconductor Manufacturing International Corp. (SMIC) ma fabrykę wykorzystującą 30-centymetrowe płytki podłożowe w Pekinie i buduje kolejną w Szanghaju. Firmy Hynix i STMicroelectronics połączyły siły w Wuxi, budując podobną fabrykę dla pamięci NAND.

Dlaczego Chiny?

Budowa fabryki przez Intela wynika ze spadającego trendu wydatków na fabryki półprzewodników w Chinach. W roku 2004 Semiconductor Equipment Materials International (SEMI) przewidywał, że rynek krajowy Chin będzie o 1 miliard dolarów większy niż wart jest aktualnie. Jednak wiele z fabryk, których budowę zapowiadano w tym roku nigdy nie powstało.

Zgodnie z tym co podaje SEMI, oczekuje się, że całkowite wydatki w Chinach na wyposażenie fabryk wzrosną z 1 miliarda dolarów w 2005 roku do 2,56 miliarda w 2008 roku. W nadchodzących latach przeważać będą wydatki na nowe wyposażenie fabryk pracujących w oparciu o 30-centymetrowe płytki podłożowe, w technologii 130nm.

Do dzisiaj Intel zainwestował w Chinach ponad miliard dolarów, z czego większość w działania montażowe i testowe w Szanghaju i w Chengu.

Podobno w Intelu mówi się, że realizacja planów uczyni go – przy całkowitych kosztach 4 miliardów dolarów – jednym z największych zagranicznych inwestorów w Chinach. Przy okazji Chiny staną się dla Intela najszybciej rozwijającym się i podstawowym rynkiem zbytu.

Arkadiusz Chłopik

 

World News 24h

środa, 28 września 2016 19:55

STMicroelectronics has extended its high-performance STM32F4 MCU series at the entry level, introducing new devices with more memory and extra features, as well as the first STM32F4 MCUs qualified to 125°C. The new STM32F412 and high-temperature STM32F410 MCUs give designers more choices within the economical Access Lines, which feature the 84MHz and 100MHz ARM Cortex-M4 cores and 128KB to 1MB Flash with up to 256KB RAM.

więcej na: www.st.com