wersja mobilna
Online: 1645 Środa, 2017.08.16

Biznes

Dostawcy tranzystorów mocy zarobią

środa, 21 czerwca 2006 09:35

Wartość rynku tranzystorów mocy będzie w najbliższych latach szybko rosnąć, wynika z najnowszego raportu IC Insights. Firma prognozuje, że w 2010 roku będzie ona stanowiła 54% wartości całego rynku elementów dyskretnych i wyniesie globalnie 10,5 mld dolarów.

Głównym czynnikiem wzrostu, który jest prognozowany na 3% w tym i 9% w przyszłym roku, ma być zapotrzebowanie ze strony producentów urządzeń przenośnych. Jednocześnie obserwować będzie można trend integrowania w układach scalonych coraz większej liczby bloków, w których obecnie stosuje się dyskretne tranzystory mocy.

Wzrost zapotrzebowania na przyrządy mocy w latach 2005-2010 będzie różny w zależności od ich typów. W przypadku niskonapięciowych tranzystorów mocy MOSFET wyniesie on 6% w skali roku (do 4,3 mld dolarów za 4 lata), o 3% więcej wzrośnie w tym okresie wartość segmentu przyrządów o napięciach pracy powyżej 200V (do 1,7 mld dolarów). Najszybciej rosnącą grupą elementów z omawianego segmentu powinny być przyrządy IGBT, stosowane najczęściej w aplikacjach motoryzacyjnych, przemysłowych, związanych z oświetleniem oraz w urządzeniach domowych. Wartość segmentu rynkowego tych tranzystorów wzrośnie pod koniec omawianego okresu do 1,6 mld dolarów, co oznacza średni roczny wzrost na poziomie 14%.

Wartość rynku tranzystorów mocy będzie w najbliższych latach szybko rosnąć, wynika z najnowszego raportu IC Insights. Firma prognozuje, że w 2010 roku będzie ona stanowiła 54% wartości całego rynku elementów dyskretnych i wyniesie globalnie 10,5 mld dolarów.

Głównym czynnikiem wzrostu, który jest prognozowany na 3% w tym i 9% w przyszłym roku, ma być zapotrzebowanie ze strony producentów urządzeń przenośnych. Jednocześnie obserwować będzie można trend integrowania w układach scalonych coraz większej liczby bloków, w których obecnie stosuje się dyskretne tranzystory mocy.

Wzrost zapotrzebowania na przyrządy mocy w latach 2005-2010 będzie różny w zależności od ich typów. W przypadku niskonapięciowych tranzystorów mocy MOSFET wyniesie on 6% w skali roku (do 4,3 mld dolarów za 4 lata), o 3% więcej wzrośnie w tym okresie wartość segmentu przyrządów o napięciach pracy powyżej 200V (do 1,7 mld dolarów). Najszybciej rosnącą grupą elementów z omawianego segmentu powinny być przyrządy IGBT, stosowane najczęściej w aplikacjach motoryzacyjnych, przemysłowych, związanych z oświetleniem oraz w urządzeniach domowych. Wartość segmentu rynkowego tych tranzystorów wzrośnie pod koniec omawianego okresu do 1,6 mld dolarów, co oznacza średni roczny wzrost na poziomie 14%.

 

World News 24h

środa, 16 sierpnia 2017 14:04

The Ministry of Science and Technology said that it plans to invest NT$4 billion (US$132 million) over the next four years in the local semiconductor sector in a bid to maintain Taiwan's global competitive edge. Science and Technology Minister Chen Liang-gee told the press that the four-year plan code named the "moon shoot" has set its sights on artificial intelligence by widening the applications of Taiwan's integrated circuit industry to meet demand. According to the ministry, the four-year plan will kick off in 2018 as it starts to allocate NT$1 billion a year.

więcej na: focustaiwan.tw