wersja mobilna
Online: 580 Wtorek, 2017.04.25

Biznes

Samsung chce być pierwszy z PRAM

środa, 15 listopada 2006 11:07

Pamięci półprzewodnikowe, takie jak MRAM czy PRAM, były do dawna uważane za bardzo obiecujące i przyszłościowe, choć nie miało to przełożenia na rynek, głównie ze względu na niewystarczające zaawansowanie technologiczne tych układów. Wraz z tym, jak kilka miesięcy temu Freescale Semiconductor skomercjalizował układy pamięci magnetorezystancyjnych, wydaje się, że sytuacja się zmienia. Potwierdza to komunikat z firmy Samsung, która opracowała prototyp pamięci PRAM (Phase-change Random Access Memory) o pojemności 512 Mbit.

Samsung ocenia, że PRAM jest jednym z głównych kandydatów do zastąpienia w najbliższych latach układów stosowanych jako pamięci nieulotne o dużych gęstościach zapisu informacji (głównie NOR Flash). Do cech nowych pamięci należy zaliczyć łatwość skalowania rozmiarów technologicznych, dużą szybkość zapisu i odczytu danych (około 30 razy szybciej niż Flash), jak też zdecydowanie dłuższą trwałość niż w przypadku pamięci tradycyjnych. Według oceny przedstawicieli firmy Samsung układy PRAM mogą być dostępne komercyjnie już w 2008 roku.

 

 

Szukaj w serwisie Semicon

World News 24h

poniedziałek, 24 kwietnia 2017 20:02

If Intel thought that it could coast along when it comes to processor development and its release schedules, AMD’s Ryzen processors have been a rather jolting wakeup call. While not able to topple Intel’s seventh-generation Kaby Lake Core processors in every single benchmark, the Ryzen 7 family in particular provides blistering multi-core performance at extremely attractive price points. Intel has been able to charge premium prices for years because quite frankly, AMD didn’t put up much of a fight for the performance crown.

więcej na: hothardware.com