wersja mobilna
Online: 560 Środa, 2017.09.20

Biznes

Samsung chce być pierwszy z PRAM

środa, 15 listopada 2006 11:07

Pamięci półprzewodnikowe, takie jak MRAM czy PRAM, były do dawna uważane za bardzo obiecujące i przyszłościowe, choć nie miało to przełożenia na rynek, głównie ze względu na niewystarczające zaawansowanie technologiczne tych układów. Wraz z tym, jak kilka miesięcy temu Freescale Semiconductor skomercjalizował układy pamięci magnetorezystancyjnych, wydaje się, że sytuacja się zmienia. Potwierdza to komunikat z firmy Samsung, która opracowała prototyp pamięci PRAM (Phase-change Random Access Memory) o pojemności 512 Mbit.

Samsung ocenia, że PRAM jest jednym z głównych kandydatów do zastąpienia w najbliższych latach układów stosowanych jako pamięci nieulotne o dużych gęstościach zapisu informacji (głównie NOR Flash). Do cech nowych pamięci należy zaliczyć łatwość skalowania rozmiarów technologicznych, dużą szybkość zapisu i odczytu danych (około 30 razy szybciej niż Flash), jak też zdecydowanie dłuższą trwałość niż w przypadku pamięci tradycyjnych. Według oceny przedstawicieli firmy Samsung układy PRAM mogą być dostępne komercyjnie już w 2008 roku.

 

World News 24h

wtorek, 19 września 2017 20:07

Intel’s CFO Bob Swan has a plan to double Intel’s market cap to $300 billion and double its eps from $2.21 to $4 by 2021, reports The Oregonian. Datacentre and memory are the areas which will propel this growth, according to Swan. The growth in market cap will also be driven by constant cost-cutting. The plan envisages that Intel’s datacentre business will grow 10% annually till 2021, its memory business will grow 33% annually and its IoT business will grow 13% annually. PC is expected to shrink 1% annually.

więcej na: www.electronicsweekly.com