wersja mobilna
Online: 652 Wtorek, 2017.07.25

Biznes

Samsung chce być pierwszy z PRAM

środa, 15 listopada 2006 11:07

Pamięci półprzewodnikowe, takie jak MRAM czy PRAM, były do dawna uważane za bardzo obiecujące i przyszłościowe, choć nie miało to przełożenia na rynek, głównie ze względu na niewystarczające zaawansowanie technologiczne tych układów. Wraz z tym, jak kilka miesięcy temu Freescale Semiconductor skomercjalizował układy pamięci magnetorezystancyjnych, wydaje się, że sytuacja się zmienia. Potwierdza to komunikat z firmy Samsung, która opracowała prototyp pamięci PRAM (Phase-change Random Access Memory) o pojemności 512 Mbit.

Samsung ocenia, że PRAM jest jednym z głównych kandydatów do zastąpienia w najbliższych latach układów stosowanych jako pamięci nieulotne o dużych gęstościach zapisu informacji (głównie NOR Flash). Do cech nowych pamięci należy zaliczyć łatwość skalowania rozmiarów technologicznych, dużą szybkość zapisu i odczytu danych (około 30 razy szybciej niż Flash), jak też zdecydowanie dłuższą trwałość niż w przypadku pamięci tradycyjnych. Według oceny przedstawicieli firmy Samsung układy PRAM mogą być dostępne komercyjnie już w 2008 roku.

 

World News 24h

poniedziałek, 24 lipca 2017 20:03

Intel further solidifies its strong connection with Israel with the announcement that it will open a new chip manufacturing plant in Kiryat Gat. This follows Intel’s acquisition of Israeli company Mobileye in the spring for $15 billion, an outstanding takeover premium. Intel’s takeover of the maker of chips for cameras and driver-assistance technology set the stage for the opening of the new plant which will make delivery of chips more convenient. Production at the new plant is expected to begin by 2018.

więcej na: www.jewishpress.com