wersja mobilna
Online: 425 Sobota, 2017.10.21

Biznes

Samsung chce być pierwszy z PRAM

środa, 15 listopada 2006 11:07

Pamięci półprzewodnikowe, takie jak MRAM czy PRAM, były do dawna uważane za bardzo obiecujące i przyszłościowe, choć nie miało to przełożenia na rynek, głównie ze względu na niewystarczające zaawansowanie technologiczne tych układów. Wraz z tym, jak kilka miesięcy temu Freescale Semiconductor skomercjalizował układy pamięci magnetorezystancyjnych, wydaje się, że sytuacja się zmienia. Potwierdza to komunikat z firmy Samsung, która opracowała prototyp pamięci PRAM (Phase-change Random Access Memory) o pojemności 512 Mbit.

Samsung ocenia, że PRAM jest jednym z głównych kandydatów do zastąpienia w najbliższych latach układów stosowanych jako pamięci nieulotne o dużych gęstościach zapisu informacji (głównie NOR Flash). Do cech nowych pamięci należy zaliczyć łatwość skalowania rozmiarów technologicznych, dużą szybkość zapisu i odczytu danych (około 30 razy szybciej niż Flash), jak też zdecydowanie dłuższą trwałość niż w przypadku pamięci tradycyjnych. Według oceny przedstawicieli firmy Samsung układy PRAM mogą być dostępne komercyjnie już w 2008 roku.

 

World News 24h

piątek, 20 października 2017 20:00

NXP Semiconductors N.V. debuted two significant technology breakthroughs at the largest fintech innovation event. The company will showcase its new contactless fingerprint-on-card solution while also demonstrating a new world benchmark for payment card transactions speeds. The fingerprint-on-card solution gives payment network operators and banks a secure, convenient and fast payment card option to consumers. Coupling dual interface cards with an integrated fingerprint sensor enables faster transactions without the need for end-users to enter a PIN number.

więcej na: media.nxp.com