wersja mobilna
Online: 1134 Czwartek, 2017.03.23

Biznes

Samsung chce być pierwszy z PRAM

środa, 15 listopada 2006 11:07

Pamięci półprzewodnikowe, takie jak MRAM czy PRAM, były do dawna uważane za bardzo obiecujące i przyszłościowe, choć nie miało to przełożenia na rynek, głównie ze względu na niewystarczające zaawansowanie technologiczne tych układów. Wraz z tym, jak kilka miesięcy temu Freescale Semiconductor skomercjalizował układy pamięci magnetorezystancyjnych, wydaje się, że sytuacja się zmienia. Potwierdza to komunikat z firmy Samsung, która opracowała prototyp pamięci PRAM (Phase-change Random Access Memory) o pojemności 512 Mbit.

Samsung ocenia, że PRAM jest jednym z głównych kandydatów do zastąpienia w najbliższych latach układów stosowanych jako pamięci nieulotne o dużych gęstościach zapisu informacji (głównie NOR Flash). Do cech nowych pamięci należy zaliczyć łatwość skalowania rozmiarów technologicznych, dużą szybkość zapisu i odczytu danych (około 30 razy szybciej niż Flash), jak też zdecydowanie dłuższą trwałość niż w przypadku pamięci tradycyjnych. Według oceny przedstawicieli firmy Samsung układy PRAM mogą być dostępne komercyjnie już w 2008 roku.

 

World News 24h

czwartek, 23 marca 2017 14:00

The silicon-based cells that make up a solar panel have a theoretical efficiency limit of 29 percent, but so far that number has proven elusive. Practical efficiency rates in the low-20-percent range have been considered very good for commercial solar panels. But researchers with Japanese chemical manufacturer Kaneka Corporation have built a solar cell with a photo conversion rate of 26.3 percent, breaking the previous record of 25.6 percent. Although it’s just a 2.7 percent increase in efficiency, improvements in commercially viable solar cell technology are increasingly hard-won.

więcej na: arstechnica.com