wersja mobilna
Online: 536 Piątek, 2017.05.26

Biznes

Toshiba produkuje pamięć NAND flash w procesie 24nm

czwartek, 14 października 2010 07:45

Toshiba poinformowała o rozpoczęciu masowej produkcji pamięci NAND flash przy użyciu technologii procesu CMOS 24nm. Według firmy nowe układy charakteryzują się najmniejszą geometrią i największą gęstością spośród wszystkich dostępnych na rynku układów NAND flash.

Nowa produkcja Toshiby obejmuje 64-gigabitowe układy pamięci zdolne do zapisu 2 bitów w jednej komórce. Firma zapowiada także wykonane w powyższej technologii pamięci NAND flash 32Gb zapisujących 3 bity w komórce.

Migracja procesu Toshiby w produkcji pamięci może utrudnić wprowadzenie na rynek alternatywnych technologii pamięci, takich jak MRAM czy phase change menory (PCM). Wcześniej w tym roku IM Flash, spółka Microna z Intelem, ogłosiła rozpoczęcie produkcji 64-gigabitowych układów NAND flash typu MLC w procesie 25nm.

 

 

Szukaj w serwisie Semicon

World News 24h

czwartek, 25 maja 2017 20:07

SEMI reports April billings of $2.17 billion - 4.6% higher than the March 2017 level of $2.08 billion, and 48.9% higher than the April 2016 billings level of $1.46 billion. “Semiconductor equipment billings levels exceed two billion dollars for the second month in a row,” says SEMI CEO Ajit Manocha, “solid market fundamentals, coupled with strong demand for memory for data storage and processors for smartphones, are fueling significant investments.”

więcej na: www.electronicsweekly.com

Produkty