wersja mobilna
Online: 666 Piątek, 2016.12.09

Biznes

Toshiba produkuje pamięć NAND flash w procesie 24nm

czwartek, 14 października 2010 07:45

Toshiba poinformowała o rozpoczęciu masowej produkcji pamięci NAND flash przy użyciu technologii procesu CMOS 24nm. Według firmy nowe układy charakteryzują się najmniejszą geometrią i największą gęstością spośród wszystkich dostępnych na rynku układów NAND flash.

Nowa produkcja Toshiby obejmuje 64-gigabitowe układy pamięci zdolne do zapisu 2 bitów w jednej komórce. Firma zapowiada także wykonane w powyższej technologii pamięci NAND flash 32Gb zapisujących 3 bity w komórce.

Migracja procesu Toshiby w produkcji pamięci może utrudnić wprowadzenie na rynek alternatywnych technologii pamięci, takich jak MRAM czy phase change menory (PCM). Wcześniej w tym roku IM Flash, spółka Microna z Intelem, ogłosiła rozpoczęcie produkcji 64-gigabitowych układów NAND flash typu MLC w procesie 25nm.

 

World News 24h

piątek, 09 grudnia 2016 13:41

Chip vendor Broadcom Ltd. Thursday (Dec. 8) reported a net loss of $668 million on sales of $4.14 billion for the fiscal fourth quarter, which closed Dec. 1. The net loss was wider than the net loss of $315 billion Broadcom reported in the fiscal third quarter. Sales, however, increased by 9 percent, Broadcom said.

więcej na: eetimes.com

Produkty