wersja mobilna
Online: 1058 Czwartek, 2017.09.21

Biznes

Toshiba produkuje pamięć NAND flash w procesie 24nm

czwartek, 14 października 2010 07:45

Toshiba poinformowała o rozpoczęciu masowej produkcji pamięci NAND flash przy użyciu technologii procesu CMOS 24nm. Według firmy nowe układy charakteryzują się najmniejszą geometrią i największą gęstością spośród wszystkich dostępnych na rynku układów NAND flash.

Nowa produkcja Toshiby obejmuje 64-gigabitowe układy pamięci zdolne do zapisu 2 bitów w jednej komórce. Firma zapowiada także wykonane w powyższej technologii pamięci NAND flash 32Gb zapisujących 3 bity w komórce.

Migracja procesu Toshiby w produkcji pamięci może utrudnić wprowadzenie na rynek alternatywnych technologii pamięci, takich jak MRAM czy phase change menory (PCM). Wcześniej w tym roku IM Flash, spółka Microna z Intelem, ogłosiła rozpoczęcie produkcji 64-gigabitowych układów NAND flash typu MLC w procesie 25nm.

 

World News 24h

czwartek, 21 września 2017 17:50

Global DRAM supply is forecast to grow by less than 20% next year, according to DRAMeXchange. DRAMeXchange points out that the big three DRAM suppliers - Samsung, SK Hynix and Micron - have opted to slow down their capacity expansions and technology migrations. This is likely to keep prices at high levels as during this year’s second half. While overall DRAM demand will remain high in 2018, new fabs being planned will not be ready for mass production until 2019 at the earliest.

więcej na: www.electronicsweekly.com