wersja mobilna
Online: 693 Środa, 2017.10.18

Biznes

Toshiba produkuje pamięć NAND flash w procesie 24nm

czwartek, 14 października 2010 07:45

Toshiba poinformowała o rozpoczęciu masowej produkcji pamięci NAND flash przy użyciu technologii procesu CMOS 24nm. Według firmy nowe układy charakteryzują się najmniejszą geometrią i największą gęstością spośród wszystkich dostępnych na rynku układów NAND flash.

Nowa produkcja Toshiby obejmuje 64-gigabitowe układy pamięci zdolne do zapisu 2 bitów w jednej komórce. Firma zapowiada także wykonane w powyższej technologii pamięci NAND flash 32Gb zapisujących 3 bity w komórce.

Migracja procesu Toshiby w produkcji pamięci może utrudnić wprowadzenie na rynek alternatywnych technologii pamięci, takich jak MRAM czy phase change menory (PCM). Wcześniej w tym roku IM Flash, spółka Microna z Intelem, ogłosiła rozpoczęcie produkcji 64-gigabitowych układów NAND flash typu MLC w procesie 25nm.

 

World News 24h

środa, 18 października 2017 10:06

Samsung Display is striving for OLED panel orders from China-based mobile device vendors, but will be facing competition from its China-based rivals such as BOE Technology and Tianma Micro-electronics, according to industry sources. Samsung's OLED panels are already being used for its own-brand smartphones, as well as Apple's iPhone X. The Korea-based vendor is vying aggressively for OLED panel orders from China-based smartphone brands, but is aware of the potential customers' preference for China-made panels, the sources indicated. LG Display is another competitor of Samsung in the OLED panel field, but Samsung regards its China-based rivals as a major threat when it comes to orders from China, the sources noted.

więcej na: www.digitimes.com