wersja mobilna
Online: 322 Czwartek, 2016.09.29

Biznes

Toshiba produkuje pamięć NAND flash w procesie 24nm

czwartek, 14 października 2010 07:45

Toshiba poinformowała o rozpoczęciu masowej produkcji pamięci NAND flash przy użyciu technologii procesu CMOS 24nm. Według firmy nowe układy charakteryzują się najmniejszą geometrią i największą gęstością spośród wszystkich dostępnych na rynku układów NAND flash.

Nowa produkcja Toshiby obejmuje 64-gigabitowe układy pamięci zdolne do zapisu 2 bitów w jednej komórce. Firma zapowiada także wykonane w powyższej technologii pamięci NAND flash 32Gb zapisujących 3 bity w komórce.

Migracja procesu Toshiby w produkcji pamięci może utrudnić wprowadzenie na rynek alternatywnych technologii pamięci, takich jak MRAM czy phase change menory (PCM). Wcześniej w tym roku IM Flash, spółka Microna z Intelem, ogłosiła rozpoczęcie produkcji 64-gigabitowych układów NAND flash typu MLC w procesie 25nm.

 

World News 24h

środa, 28 września 2016 19:55

STMicroelectronics has extended its high-performance STM32F4 MCU series at the entry level, introducing new devices with more memory and extra features, as well as the first STM32F4 MCUs qualified to 125°C. The new STM32F412 and high-temperature STM32F410 MCUs give designers more choices within the economical Access Lines, which feature the 84MHz and 100MHz ARM Cortex-M4 cores and 128KB to 1MB Flash with up to 256KB RAM.

więcej na: www.st.com