Średnia pojemność układu pamięci 3D NAND flash liczona w bitach jest około trzykrotnie wyższa niż układu planarnego 2D o tej samej powierzchni.
W 2016 r. lub wcześniej większość dostawców pamięci flash rozpoczęła procesy wdrażania technologii produkcji pamięci 3D NAND, skutkiem czego jest także wyższa wydajność produkcyjna liczona w bitach. Do końca 2016 r. dostawy układów 3D NAND miały stanowić około 30% łącznych dostaw układów pamięci flash w przeliczeniu na ilość bitów. W III kwartale br. dostawy planarnych układów NAND flash mają stanowić już mniej niż 50%.
Producenci pamięci wiążą duże nadzieje z 64-warstwowymi układami 3D NAND, planując ich wykorzystanie w szeroko stosowanych aplikacjach, jak np. wbudowane pamięci eMMC, uniwersalne UFS, a także dyski półprzewodnikowe klasy klienta oraz enterprise. Te ostatnie zresztą w ogromnym stopniu przyczyniają się do wzrostu rynku NAND flash.
Według DRAMeXchange, oddziału należącego do TrendForce, ponad 50% laptopów, jakie zostaną sprzedane w ostatnim kwartale roku 2017, będzie wyposażona w dyski SSD. Z kolei dyski półprzewodnikowe klasy enterprise znajdują coraz większe zastosowanie na rynkach centrów obliczeniowych i serwerów. Prognozowany na rok obecny wzrost rynku SSD ma sięgnąć 60% i dyski te stanowić mają w br. 40% globalnego rynku układów NAND flash. Niedawno jeden z największych dysków półprzewodnikowych na świecie - o pojemności ponad 15 TB - wprowadził na rynek Samsung. Tego typu dyski Koreańczycy produkują w oparciu o własną technologię 3D V-NAND.
Toshiba stawia na auta
Układy NAND flash zaczynają powszechnie trafiać pod maskę samochodu. W grudniu wprowadzenie na rynek pamięci NAND flash o pojemnościach do 64 GB, wytworzonych w technologii procesu 15 nm na potrzeby przemysłu motoryzacyjnego, ogłosiła Toshiba. Pamięci te są zgodne z wersją 5.1 standardu JEDEC embedded MMC (e-MMC) i spełniają wymogi Automotive Electronics Council AEC-Q100 klasa 2. Od grudnia Toshiba dostarcza klientom wersje testowe produktów NAND flash, natomiast start produkcji masowej układów pamięci o pojemności 8, 16, 32 i 64 GB Japończycy planują w II kwartale bieżącego roku.
| Tab. 1. Rodzina nowych produktów pamięci Toshiby przeznaczonych dla motoryzacji | |||
| Numer części | Pojemność | Zakres temperatur pracy | Rozmiar obudowy |
| THGBMHG6C1LBAB6 | 8GB | -40°C to +105°C | 11,5x13x0,8mm |
| THGBMHG7C2LBAB7 | 16GB | -40°C to +105°C | 11,5x13x1,0mm |
| THGBMHG8C4LBAB7 | 32GB | -40°C to +105°C | 11,5x13x1,0mm |
| THGBMHG9C8LBAB8 | 64GB | -40°C to +105°C | 11,5x13x1,2mm |
Pamięci Toshiby oferowane są ze zintegrowanym kontrolerem w jednej obudowie. Nowe rodziny produktów obejmują w autach takie zastosowania jak wspomaganie pracy układów rozrywki i informacji samochodowej (infotainment) czy zestawu wskaźników na desce rozdzielczej. Na rynku motoryzacyjnym obecnie rośnie zapotrzebowanie na pamięci NAND flash w związku z rozpowszechnianiem się układów infotainment, aktywnych układów wspomagania pracy kierowcy (ADAS) oraz systemów autonomicznej jazdy.
Hynix nie odpuszcza
Utrzymanie się w czołówce producentów układów NAND flash, w tym trójwymiarowych chipów pamięci, wymaga znacznych inwestycji w obszary technologii projektowania oraz produkcji. Antycypując dobrą koniunkturę na rynkach pamięci NAND, podwyższenie wydatków na produkcję tych układów pamięci zapowiedzieli ostatnio wszyscy trzej liderzy rynku - Samsung, Hynix i Toshiba.
W grudniu SK Hynix ogłosił inwestycje w zaplecze produkcyjne rzędu 2,7 mld dolarów. Dwie trzecie z tej sumy ma być wydane na nowy zakład produkcyjny NAND flash w Korei Południowej. SK Hynix chce w nim rozwijać szczególnie rozwiązania 3D NAND. Nieco powyżej miliarda dolarów firma chce przeznaczyć na rozwój istniejących zakładów produkcji pamięci DRAM firmy w Wuxi w Chinach.
Marcin Tronowicz
