wersja mobilna
Online: 638 Czwartek, 2017.05.25

Biznes

Dostawy pamięci DRAM windują smartfony

środa, 04 stycznia 2012 10:07

Dostawy pamięci DRAM przeznaczonych do smartfonów zwiększą się w 2011 r. do 1,7 mld przeliczeniowych gigabitów, o 157% w ujęciu rocznym, poinformowała firma badania rynku IHS. W roku 2015 dostawy DRAM wzrosną do 13,9 mld układów równoważnych kościom 1 Gbit, czyli o 700% w stosunku do 2011 r.

Stale wzrasta ilość pamięci DRAM wbudowanej w przeciętny smartfony. Średnio pojemność DRAM montowanej w 2011 r. była od 4 do 6 razy większa niż w modelach z 2010 r. W przeanalizowanych wybranych modelach smartfonów wartość użytych pamięci DRAM stanowiła 15,7% kosztów materiałowych telefonów.

Rys. 1. Prognoza średniej pojemności DRAM na smartfon (źródło: IHS iSuppli)

Według szacunków w 2012 r. średnia pojemność pamięci DRAM w smartfonach wzrośnie o 55%, do 715MB w przyszłym roku z 461MB w roku obecnym. Zdaniem IHS, nie ma żadnych ograniczeń popytu na stosowanie pamięci w technologicznie zaawansowanych telefonach komórkowych.

Smartfony i tablety stopniowo zwiększają udział w rynku DRAM kosztem komputerów osobistych, urządzeń wykorzystujących ten rodzaj pamięci w największym stopniu. Udział smartfonów w całym rynku DRAM zwiększy się z 4,4% w 1010 r. do 16% w 2015 r.

Marcin Tronowicz

 

 

Szukaj w serwisie Semicon

World News 24h

czwartek, 25 maja 2017 17:52

Samsung Electronics Co. updated its foundry technology roadmap, including detailing its second-generation FD-SOI platform, several bulk silicon FinFET processes down to 5nm and a 4nm “post FinFET” structure process set to be in risk production in 2020. Samsung, which formally broke its foundry operation into a separate business unit called Samsung Foundry last week, also reiterated previously announced plans to put extreme ultraviolet lithography into production in 2018 at the 7nm node.

więcej na: www.eetimes.com

Produkty