wersja mobilna
Online: 530 Środa, 2017.09.20

Biznes

Micron prezentuje 16-nanometrową technologię pamięci Flash

czwartek, 18 lipca 2013 07:45

Firma Micron Technology zaprezentowała nową generację układów pamięci Flash. Zostały one wykonane w 16-nanometrowym procesie technologicznym. Dzięki nowym elementom można uzyskać najmniejsze 128-gigabitowe moduły NAND Flash multi-level cell. Moduł taki zapewnia największą liczbę bitów na milimetr kwadratowy i najniższy koszt wytworzenia pamięci MLC. Nowa technologia pozwala na otrzymanie układów o pojemności prawie 6 TB z jednej płytki krzemowej. Uruchomienie seryjnej produkcji pamięci w technologii 16nm zaplanowano na czwarty kwartał 2013 r.

Opracowanie najmniejszych pamięci umacnia pozycję Microna jako lidera rozwoju technologii magazynowania danych. Nowe moduły 128 Gb przeznaczone będą dla konsumenckich dysków SSD, pamięci USB, tabletów i telefonów komórkowych. Rozwijana przez firmę Micron nowa linia dysków półprzewodnikowych SSD, opartych na 16nm modułach NAND Flash, ma być wprowadzona na rynek w 2014 r.

źródło: Micron

 

World News 24h

środa, 20 września 2017 10:01

Semiconductor Research Corporation announced that Samsung Electronics Company Ltd. has signed an agreement to join SRC’s research consortium. Samsung will participate in two SRC platforms - the New Science Team project and the Global Research Collaboration program. The NST project, a 5-year, $300M+ initiative commences in January 2018. NST consists of two complementary research programs: JUMP and nCORE, supporting long-term research focused on high- performance, energy-efficient microelectronics for communications, computing and storage needs.

więcej na: www.src.org