wersja mobilna
Online: 1163 Środa, 2017.04.26

Biznes

Micron prezentuje 16-nanometrową technologię pamięci Flash

czwartek, 18 lipca 2013 07:45

Firma Micron Technology zaprezentowała nową generację układów pamięci Flash. Zostały one wykonane w 16-nanometrowym procesie technologicznym. Dzięki nowym elementom można uzyskać najmniejsze 128-gigabitowe moduły NAND Flash multi-level cell. Moduł taki zapewnia największą liczbę bitów na milimetr kwadratowy i najniższy koszt wytworzenia pamięci MLC. Nowa technologia pozwala na otrzymanie układów o pojemności prawie 6 TB z jednej płytki krzemowej. Uruchomienie seryjnej produkcji pamięci w technologii 16nm zaplanowano na czwarty kwartał 2013 r.

Opracowanie najmniejszych pamięci umacnia pozycję Microna jako lidera rozwoju technologii magazynowania danych. Nowe moduły 128 Gb przeznaczone będą dla konsumenckich dysków SSD, pamięci USB, tabletów i telefonów komórkowych. Rozwijana przez firmę Micron nowa linia dysków półprzewodnikowych SSD, opartych na 16nm modułach NAND Flash, ma być wprowadzona na rynek w 2014 r.

źródło: Micron

 

 

Szukaj w serwisie Semicon

World News 24h

środa, 26 kwietnia 2017 10:04

The new Samsung Galaxy S8 equipped with 64 GB of NAND flash memory carries a bill of materials cost that comes out to US$301.60, much higher than for previous versions of the company’s smartphones. After $5.90 in basic manufacturing costs are added, Samsung’s total cost to make the Galaxy S8 rises to $307.50; the unsubsidized price for a 64GB Galaxy S8 starts at around $720. The preliminary estimated total at this point is $43.34 higher than that of the Galaxy S7 previously performed by IHS Markit, and is $36.29 higher than the total build cost of the Galaxy S7 Edge, considered a better comparison to the Galaxy S8.

więcej na: news.ihsmarkit.com