wersja mobilna
Online: 596 Sobota, 2017.03.25

Biznes

Micron i Hynix zyskują na upowszechnianiu się standardu NAND Flash

czwartek, 28 czerwca 2012 11:18

W ostatnim kwartale ubiegłego roku Micron i SK Hynix zdołali zmniejszyć dystans do liderów dostaw układów pamięci NAND Flash, Samsunga i Toshiby, poinformowała firma badania rynku IHS iSuppli. Micron, trzeci z największych dostawców NAND, zwiększył w IV kw. obroty na tym rynku o 11,7% w skali kwartalnej. SK Hynix, kolejny na liście dostawca pamięci, dawniej znany jako Hynix Semiconductor, powiększył w omawianym okresie sprzedaż układów NAND o 5,4%, poinformował IHS iSuppli.

Według agencji udział obrotów Microna w rynku NAND Flash wzrósł w IV kw. do 19,6% z 17%, a Hynix zwiększył swój udział do 13,3% z 12,2%. W ostatnim kw. roku całkowity rynek układów pamięci NAND Flash zmalał o 2,8% w ujęciu kwartalnym, ale jego wartość tak jak w poprzednim kw. przekraczała 5 mld dol. Obroty liderów rynku, Samsunga i Toshiby, zmniejszyły się w porównaniu do III kw. odpowiednio o 4,6% i o 12,3%, wynika z informacji przedstawionych przez IHS iSuppli.

W obawie przed nadprodukcją Samsung i Toshiba zdecydowali się zredukować wykorzystanie fabryk układów pamięci. Z kolei Micron i Hynix utrzymali produkcję na wysokim, niepomniejszonym poziomie. Zdaniem analityków taka sytuacja utrzyma się w roku obecnym. Oczekują oni, że szczególnie Hynix będzie nadal zwiększać udział w rynku, ponieważ inwestuje w rozwój technologii i produkcji więcej niż wynosi średnia dla tego sektora.

W IV kw. 2011 r. obroty Microna były o 88% wyższe w porównaniu do ostatniego kw. 2010 r., poinformował IHS. Sprzedaż pamięci NAND Flash przez Hyniksa w skali roku zwiększyła się o 69%.

Made in Japan

Toshiba była w ostatnim kw. 2011 r. jedynym z pięciu największych dostawców układów NAND Flash notującym spadek sprzedaży w ujęciu rocznym. Jej obroty zmalały o 2,9%, do 1,43 mld dol. Zdaniem analityków, z uwagi na występującą na świecie nadpodaż Toshiba świadomie podjęła decyzję o ograniczeniu produkcji. Toshiba jest firmą, która w latach 80. opracowała pierwsze na świecie pamięci typu Flash.

To właśnie w jej laboratoriach zmodyfikowano pamięci nieulotne EEPROM, organizując jej komórki w bloki, których kasowanie stało się możliwe selektywnie, bez naruszania informacji przechowywanych w innych komórkach. Pamięć NAND Flash weszła obecnie do powszechnego użytku. Jest ona wykorzystywana jako pamięć USB, pamięć w przenośnych urządzeniach elektronicznych, a także jako dysk półprzewodnikowy - następca magnetycznego dysku twardego (pamięć SSD) oraz systemy pamięci masowych, w tym urządzenia przeznaczone do środowisk klasy enterprise, używane np. w centrach obliczeniowych.

W dalszym ciągu wzrost rynku pamięci NAND Flash zapewniają m.in. przenośne urządzenia konsumenckie. IHS iSuppli podniosła w kwietniu br. na 4,3% prognozę wzrostu dla całej branży półprzewodników, uzasadniając to dużym popytem na bezprzewodowe urządzenia konsumenckie, takie jak telefony komórkowe i multimedialne tablety. Trzema obszarami napędzającymi wzrost branży w tym roku mają być logiczne układy ASIC, mikroprocesory oraz właśnie układy pamięci NAND Flash. Sam rynek ma według IHS iSuppli rosnąć w okresie 2011–2015 w średnim tempie rocznym 7%.

Marcin Tronowicz

 

World News 24h

sobota, 25 marca 2017 20:08

ASE has a site in the US for IC testing, and has no plans to expand the site or build another locally for packaging services, according to company COO Tien Wu. ASE has a site to provide testing services locally in California, said Wu, adding that the company has not considered expanding the site to include packaging services. ASE also has no plans to set up a local site in the US dedicated to providing packaging services. In response to rumors that TSMC is evaluating the feasibility of building its next fab for chips made using 3nm process technology, Wu declined to comment.

więcej na: www.digitimes.com