wersja mobilna
Online: 730 Wtorek, 2017.08.22

Biznes

Micron i Hynix zyskują na upowszechnianiu się standardu NAND Flash

czwartek, 28 czerwca 2012 11:18

W ostatnim kwartale ubiegłego roku Micron i SK Hynix zdołali zmniejszyć dystans do liderów dostaw układów pamięci NAND Flash, Samsunga i Toshiby, poinformowała firma badania rynku IHS iSuppli. Micron, trzeci z największych dostawców NAND, zwiększył w IV kw. obroty na tym rynku o 11,7% w skali kwartalnej. SK Hynix, kolejny na liście dostawca pamięci, dawniej znany jako Hynix Semiconductor, powiększył w omawianym okresie sprzedaż układów NAND o 5,4%, poinformował IHS iSuppli.

Według agencji udział obrotów Microna w rynku NAND Flash wzrósł w IV kw. do 19,6% z 17%, a Hynix zwiększył swój udział do 13,3% z 12,2%. W ostatnim kw. roku całkowity rynek układów pamięci NAND Flash zmalał o 2,8% w ujęciu kwartalnym, ale jego wartość tak jak w poprzednim kw. przekraczała 5 mld dol. Obroty liderów rynku, Samsunga i Toshiby, zmniejszyły się w porównaniu do III kw. odpowiednio o 4,6% i o 12,3%, wynika z informacji przedstawionych przez IHS iSuppli.

W obawie przed nadprodukcją Samsung i Toshiba zdecydowali się zredukować wykorzystanie fabryk układów pamięci. Z kolei Micron i Hynix utrzymali produkcję na wysokim, niepomniejszonym poziomie. Zdaniem analityków taka sytuacja utrzyma się w roku obecnym. Oczekują oni, że szczególnie Hynix będzie nadal zwiększać udział w rynku, ponieważ inwestuje w rozwój technologii i produkcji więcej niż wynosi średnia dla tego sektora.

W IV kw. 2011 r. obroty Microna były o 88% wyższe w porównaniu do ostatniego kw. 2010 r., poinformował IHS. Sprzedaż pamięci NAND Flash przez Hyniksa w skali roku zwiększyła się o 69%.

Made in Japan

Toshiba była w ostatnim kw. 2011 r. jedynym z pięciu największych dostawców układów NAND Flash notującym spadek sprzedaży w ujęciu rocznym. Jej obroty zmalały o 2,9%, do 1,43 mld dol. Zdaniem analityków, z uwagi na występującą na świecie nadpodaż Toshiba świadomie podjęła decyzję o ograniczeniu produkcji. Toshiba jest firmą, która w latach 80. opracowała pierwsze na świecie pamięci typu Flash.

To właśnie w jej laboratoriach zmodyfikowano pamięci nieulotne EEPROM, organizując jej komórki w bloki, których kasowanie stało się możliwe selektywnie, bez naruszania informacji przechowywanych w innych komórkach. Pamięć NAND Flash weszła obecnie do powszechnego użytku. Jest ona wykorzystywana jako pamięć USB, pamięć w przenośnych urządzeniach elektronicznych, a także jako dysk półprzewodnikowy - następca magnetycznego dysku twardego (pamięć SSD) oraz systemy pamięci masowych, w tym urządzenia przeznaczone do środowisk klasy enterprise, używane np. w centrach obliczeniowych.

W dalszym ciągu wzrost rynku pamięci NAND Flash zapewniają m.in. przenośne urządzenia konsumenckie. IHS iSuppli podniosła w kwietniu br. na 4,3% prognozę wzrostu dla całej branży półprzewodników, uzasadniając to dużym popytem na bezprzewodowe urządzenia konsumenckie, takie jak telefony komórkowe i multimedialne tablety. Trzema obszarami napędzającymi wzrost branży w tym roku mają być logiczne układy ASIC, mikroprocesory oraz właśnie układy pamięci NAND Flash. Sam rynek ma według IHS iSuppli rosnąć w okresie 2011–2015 w średnim tempie rocznym 7%.

Marcin Tronowicz

 

World News 24h

wtorek, 22 sierpnia 2017 12:07

The global gallium arsenide wafer market to decline at a CAGR of 11.9% during the period 2017-2021. The report has been prepared based on an in-depth market analysis with inputs from industry experts. The report covers the market landscape and its growth prospects over the coming years. The report also includes a discussion of the key vendors operating in this market. The latest trend gaining momentum in the market is shutdown of 2G network. High-speed Internet has now become readily available worldwide. The data speed of a 4G connection is 10 times faster 3G data speed.

więcej na: electroiq.com