wersja mobilna
Online: 659 Wtorek, 2017.10.17

Biznes

Uruchomiono pierwszą chińską fabrykę tranzystorów IGBT

środa, 16 lipca 2014 07:50

Chiński producent półprzewodników - Zhuzhou CSR Times Electric Co - uruchomił zakład produkujący chipy IGBT. To pierwsze tego typu w Chinach, a drugie na świecie, wprowadzenie technologii opracowanej przez brytyjską spółkę zależną - Dynex Semiconductor. Nowy zakład, zbudowany kosztem 240 mln dolarów, będzie produkował układy IGBT dużej mocy, wykorzystując w tym celu ośmiocalowe płytki krzemowe. Linia produkcyjna powstawała ponad dwa lata.

Technologia stosowana w nowym obiekcie została opracowana w międzynarodowym centrum badawczo-rozwojowym CSR Zhuzhou R&D Centre, zlokalizowanym w siedzibie firmy Dynex w Lincoln. Centrum zostało utworzone w 2010 r. w celu opracowania wiodącej technologii półprzewodników mocy, w szczególności skoncentrowania działań na następnej generacji produktów IGBT.

Nowy zakład położony w Zhuzhou będzie, w pierwszej fazie działania, wytwarzał 120 tys. płytek krzemowych i 1 milion modułów IGBT rocznie. Tranzystory IGBT są kluczowymi elementami systemów o wysokiej efektywności konwersji energii elektrycznej, wykorzystywanych w napędach z regulacją prędkości, pociągach, pojazdach elektrycznych i hybrydowych, sieciach energetycznych i odnawialnych źródłach energii.

- Od czasu przejęcia Dynex przez CSR Times Electric w 2008 r. nastąpił szybki rozwój naszych zdolności produkcyjnych w zakresie elementów IGBT. Zaczęliśmy od płytek czterocalowych, następnie przeszliśmy do produkcji płytek 6-calowych w zakładzie w Lincoln. Potem rozwinęliśmy naszą technologię by wesprzeć inwestycję w nową fabrykę. Uzupełniło to bazę firmy w Wielkiej Brytanii, dając dostęp do zakładu produkcyjnego będącego światowym liderem 8-calowych płytek układów IGBT oraz linii montażowej o dużej wydajności - mówił dr Paul Taylor, prezes i dyrektor generalny Dynex.

- Nasz szybki rozwój się nie kończy. Nowa linia została wyposażona w najnowszy sprzęt, a następny etap ekspansji jest już zaplanowany. Jego celem są kluczowe rynki, takie jak automotive i odnawialnej energii elektrycznej. Tak więc, w naszym brytyjskim centrum badawczo-rozwojowym już pracuje się nad projektowaniem nowej generacji zaawansowanych urządzeń elektroenergetycznych z krzemu i z węglika krzemu - dodał Paul Taylor.

źródło: Drives & Controls

 

World News 24h

wtorek, 17 października 2017 09:56

sureCore Ltd. announced it has joined the GLOBALFOUNDRIES FDXcelerator Partner Program and will make both their Low Power “PowerMiser” and Ultra Low Voltage “EverOn” SRAM offerings available on GF’s 22nm FD-SOI process technology. PowerMiser delivers dynamic and static power savings exceeding 50 percent and 20 percent respectively. EverOn is the first commercially available SRAM to enable robust and reliable operation at near threshold voltages delivering hitherto unprecedented power savings. sureCore SRAMs are built from standard foundry bit cells and need no process modifications “GF’s 22FDX is a logical next step for developers who are currently in 28nm bulk processes” said CEO Paul Wells.

więcej na: electroiq.com