wersja mobilna
Online: 528 Poniedziałek, 2016.12.05

Biznes

Nagroda Premiera za polską technologię grafenu

piątek, 10 maja 2013 11:06

Wśród laureatów nagród Prezesa Rady Ministrów wręczanych 8 maja br. najwyższą nagrodę indywidualną otrzymał dr inż. Włodzimierz Strupiński z Instytutu Technologii Materiałów Elektronicznych za "Badania nad wzrostem grafenu. Opracowanie nowej metody wytwarzania wysokiej jakości grafenu". Praca dr. Włodzimierza Strupińskiego nad otrzymaniem warstw grafenu uwieńczona została spektakularnym osiągnięciem, jakim była odkryta oryginalna metoda jego wytwarzania na podłożach SiC przez nakładanie atomów węgla. Jest to nowa metoda, polegająca na wykorzystaniu technik epitaksji, objęta patentem na wszystkie kraje świata.

Dr Włodzimierz Strupiński zastosował zupełnie odmienne podejście do powszechnie stosowanych na świecie metod opartych na sublimacji krzemu z SiC. Do momentu jego odkrycia panowało powszechne przekonanie, że wzrost grafenu na SiC z zewnętrznego źródła węgla jest niemożliwy ze względu na szkodliwą sublimację krzemu z SiC. Dr Strupiński umiejętnie ominął tę trudność, uzyskując grafen o bardzo dobrych własnościach. Jego metoda została zgłoszona do opatentowania, a patent ten został rozszerzony na wszystkie kraje świata.

dr Włodzimierz Strupiński - badania nad grafenem w  Instytucie Technologii Materiałów ElektronicznychAnalityczne opracowanie badań nad grafenem zawarte w "The World Market for Graphene" opublikowane w 2011 r. zaliczyło osiągnięcie dr. W. Strupińskiego do jednego z dziewięciu największych wydarzeń w dziedzinie technologii otrzymywania grafenu.

Dzięki badaniom naukowym Włodzimierza Strupińskiego, prowadzonym w ostatnich czterech latach, Polska wysunęła się na jedną z czołowych pozycji na świecie w dziedzinie badań nad grafenem. Obecnie trwają intensywne prace nad praktycznym wykorzystaniem grafenu m.in. przy w budowie półprzewodnikowych elementów mocy oraz nowej generacji materiałów kompozytowych.

 

World News 24h

poniedziałek, 05 grudnia 2016 12:05

Seeing demand for NAND flash storage rising and memory makers accelerating their development of 3D NAND flash products, Intel is planning to begin mass producing new 3D NAND flash products in 2017 to compete for datacenter, professional, consumer and embedded markets, which may pose a challenge for existing players including Samsung Electronics, SK Hynix, Toshiba and China-based players, according to sources from the upstream supply chain.

więcej na: www.digitimes.com